[發(fā)明專利]鑄造類單晶制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811064511.4 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN109161965A | 公開（公告）日： | 2019-01-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 汪沛淵;張濤;白梟龍;歐子楊;晏文勇;李省平;劉文婷;鄧清香;金浩 | 申請（專利權(quán)）人： | 晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/06 | 分類號： | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06 |
| 代理公司： | 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 334100 江西*** | 國省代碼： | 江西;36 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 坩堝 鑄造 熔化 單晶制備 單晶籽晶 摻雜劑層 摻雜劑 電阻率 單晶 引晶 電阻率分布 均勻鋪設(shè) 母合金 硅料 填入 預(yù)設(shè) 制備 加熱 鋪設(shè) 擴散 | ||
1.一種鑄造類單晶制備方法，其特征在于，包括：
在坩堝底部鋪設(shè)一層含磷的摻雜劑，以形成一摻雜劑層；
在所述摻雜劑層上鋪設(shè)一層類單晶籽晶，以形成一引晶層；
將硅料和母合金依次填入所述坩堝內(nèi)；
將坩堝加熱至預(yù)設(shè)溫度，以使所述類單晶籽晶部分熔化。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，所述摻雜劑包括磷粉和/或N型母合金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，所述在坩堝底部鋪設(shè)一層含磷的摻雜劑的步驟之前，所述方法還包括：在所述坩堝的內(nèi)壁噴涂一層氮化硅涂層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，所述將坩堝加熱至預(yù)設(shè)溫度的步驟之后，所述方法還包括：持續(xù)對所述坩堝加熱并通過一個散熱裝置對其散熱，使其保持所述預(yù)設(shè)溫度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，所述將硅料和母合金依次填入所述坩堝內(nèi)的步驟包括：將所述坩堝三分之二的容積填入所述硅料后，再將所述母合金填入所述硅料的上端，所述母合金裝填完成后，將剩余所述硅料繼續(xù)裝入所述坩堝中。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，所述將硅料和母合金依次填入所述坩堝內(nèi)的步驟之前，所述方法包括：在所述坩堝內(nèi)部標記填充位置，所述填充位置從所述坩堝的開口處豎直延伸至所述坩堝內(nèi)部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，鋪設(shè)的所述類單晶籽晶的寬度小于所述坩堝底部的寬度，且鋪設(shè)的所述摻雜劑的寬度小于鋪設(shè)的所述類單晶籽晶的寬度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鑄造類單晶制備方法，其特征在于，所述類單晶籽晶平整鋪設(shè)于所述坩堝的底部，且相鄰兩類單晶籽晶之間具有接縫，所述摻雜劑鋪設(shè)于所述接縫中，以形成所述摻雜劑層。
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