[發明專利]半導體裝置結構在審
| 申請號： | 201811063125.3 | 申請日： | 2018-09-12 |
| 公開（公告）號： | CN109585528A | 公開（公告）日： | 2019-04-05 |
| 發明（設計）人： | 林祐寬;楊昌達;王屏薇 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 聶慧荃;閆華 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 阱區 鰭部結構 阱拾取區 主動區 半導體裝置結構 最小距離 半導體基底 導電型 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置結構，包括︰
一半導體基底，具有一阱拾取區及一主動區，其中該阱拾取區及該主動區內各自包括具有一第一導電型的一第一阱區及具有相反的一第二導電型的一第二阱區鄰近于該第一阱區，使一阱區邊界位于該第一阱區與該第二個阱區之間；
一第一鰭部結構，位于該阱拾取區的該第一阱區內；以及
多個第二鰭部結構，位于該主動區的該第一阱區內；
其中該第一鰭部結構與該阱區邊界隔開一第一距離，該多個第二鰭部結構中最靠近該阱區邊界的一者與該阱區邊界隔開一第二距離，而該第一距離大于該第二距離。
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