[發(fā)明專利]量子點發(fā)光二極管和使用其的量子點發(fā)光裝置

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• 申請?zhí)枺?/td>: 201811061393.1
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109486491A
• 公開（公告）日: 2019-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 樸宰賢;金奎男;柳映朱
• 申請（專利權(quán)）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;H01L51/50
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 龐東成;解延雷

1.一種量子點，其包含：

半導體納米晶體或金屬氧化物芯；

基本上或完全覆蓋所述芯的殼，其中，所述殼具有外表面；

X型配體，所述X型配體與所述外表面的第一表面區(qū)結(jié)合，包含選自由羧酸根基團、磷酸根基團和硫醇根基團組成的組中的官能團；和

L型配體，所述L型配體與所述外表面的第二區(qū)結(jié)合，包含選自由氨基、硫醇基、膦基和氧化膦基團組成的組中的官能團。

2.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述X型配體進一步包含C₅-C₃₀飽和或不飽和烴鏈。

3.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述X型配體具有以下結(jié)構(gòu)之一：

其中：

n是6～16的整數(shù)；

m是4～9的整數(shù)；

p是4～9的整數(shù)；且

X是羧酸根基團、磷酸根基團或硫醇根基團。

4.如權(quán)利要求3所述的量子點，其中，所述X型配體選自由辛酸、癸酸、十二烷酸、肉豆蔻酸、棕櫚酸、十六烷酸、硬脂酸、油酸及其組合組成的組。

5.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述L型配體選自由C₁至C₁₀線性或支鏈烷基胺、C₄至C₈脂環(huán)族胺、C₅至C₂₀芳香族胺、C₁至C₁₀線性或支鏈烷基膦、C₁至C₁₀線性或支鏈烷基氧化膦及其組合組成的組。

6.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述L型配體是三(2-氨基乙基)胺、三(2-氨基甲基)胺、N-丁基-N-乙基乙烷-1,2-二胺、乙二胺、五亞乙基六胺、環(huán)己烷-1,2-二胺、環(huán)己烯-1,2-二胺或2,3-二氨基吡啶。

7.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述X型配體通過帶負電荷的官能團與所述第一區(qū)結(jié)合。

8.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述L型配體通過非共用電子對與所述第二區(qū)結(jié)合。

9.如權(quán)利要求1所述的量子點，其中，所述外表面基本上為球形，且所述第一區(qū)為第一半球，所述第二區(qū)為第二半球。

10.一種發(fā)光二極管，其包含多個權(quán)利要求1所述的量子點。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其包含：

第一電極和第二電極；

發(fā)射材料層；

電子轉(zhuǎn)移層；和

空穴轉(zhuǎn)移層，

其中，所述發(fā)射材料層插入在所述電子轉(zhuǎn)移層和所述空穴轉(zhuǎn)移層之間，且所述發(fā)射材料層包含所述量子點。

12.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個量子點的所述第一區(qū)基本上鄰近所述空穴轉(zhuǎn)移層且遠離所述電子轉(zhuǎn)移層。

13.如權(quán)利要求11所述的發(fā)光二極管，其中，所述多個量子點的所述第二區(qū)基本上鄰近所述電子轉(zhuǎn)移層且遠離所述空穴轉(zhuǎn)移層。

14.一種發(fā)光裝置，其包含權(quán)利要求1所述的量子點或權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管。

15.如權(quán)利要求14所述的發(fā)光裝置，其包含：

基板；

發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管位于所述基板上，且包含權(quán)利要求1所述的量子點；和

驅(qū)動元件，所述驅(qū)動元件設(shè)置于所述基板和所述發(fā)光二極管之間，且與所述發(fā)光二極管連接。