[發明專利]電子設備及其制造方法

在審

• 申請號: 201811060921.1
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109962034A
• 公開（公告）日: 2019-07-02
• 發明（設計）人: 李泂奭
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 許偉群;郭放

1.一種用于制造包括半導體存儲器的電子設備的方法，所述方法包括：

形成層疊結構，所述層疊結構中的每一個包括存儲圖案；

形成間隙填充層，所述間隙填充層填充所述層疊結構之間的空間；以及

通過將惰性氣體注入所述間隙填充層中來形成分布在所述間隙填充層中的納米孔。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述惰性氣體被離子注入所述間隙填充層的一部分中，所述間隙填充層的所述部分位于與所述存儲圖案位于所述層疊結構中的位置相對應的水平處。

3.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述惰性氣體正在被注入時執行熱處理工藝。

4.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述惰性氣體被注入之后執行熱處理工藝。

5.根據權利要求1所述的方法，其中，所述惰性氣體包括氫氣、氦氣、氬氣、氙氣、氮氣及其組合中的任何一種。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，所述層疊結構中的每一個還包括設置在所述存儲圖案上的電極，并且所述惰性氣體被注入所述間隙填充層和所述電極中。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，所述間隙填充層具有高度水平不同的頂表面，所述頂表面位于相鄰的層疊結構之間和所述層疊結構之上。

8.根據權利要求7所述的方法，其中，所述間隙填充層的所述頂表面在相鄰的層疊結構之間具有相對低的水平、而在所述層疊結構之上具有相對高的水平，并且所述惰性氣體的注入范圍基于所述間隙填充層的相對低的水平的頂表面來確定。

9.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述納米孔被形成之后平坦化所述間隙填充層。

10.根據權利要求1所述的方法，其中，所述層疊結構中的每一個還包括設置在所述存儲圖案上的電極，并且當所述惰性氣體被注入所述電極中時，納米孔形成在所述電極的上部中。

11.根據權利要求10所述的方法，還包括：執行平坦化工藝，直到設置在所述電極的上部中的所述納米孔被去除為止。

12.根據權利要求1所述的方法，還包括：

在所述間隙填充層被形成之前，在所述層疊結構的頂表面和側壁上形成保護層。

13.根據權利要求12所述的方法，其中，所述惰性氣體被注入所述保護層中，并且納米孔形成在所述保護層中。

14.根據權利要求1所述的方法，其中，所述惰性氣體以1E15/cm²至1E17/cm²的濃度被離子注入。

15.根據權利要求1所述的方法，其中，用于注入所述惰性氣體的離子束具有1KeV至100KeV的能量。

16.根據權利要求1所述的方法，其中，所述存儲圖案包括可變電阻材料。

17.一種用于制造包括半導體存儲器的電子設備的方法，所述方法包括：

形成層疊結構，所述層疊結構中的每一個包括可變電阻元件；

形成間隙填充層，所述間隙填充層填充所述層疊結構之間的空間；以及

在所述間隙填充層中形成分布在所述間隙填充層的一部分中的納米孔，所述間隙填充層的所述部分位于與所述可變電阻元件位于所述層疊結構中的位置相對應的水平處。