[發明專利]發光裝置

在審

• 申請號: 201811059692.1
• 申請日: 2018-09-12
• 公開（公告）號: CN109244215A
• 公開（公告）日: 2019-01-18
• 發明（設計）人: 王允軍;馬卜;李帥;王紅琴;吳悅迪
• 申請（專利權）人: 蘇州星爍納米科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/60;H01L33/50;H01L33/64
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發明公開了發光裝置，該發光裝置包括透明管，具有管壁所圍的腔體；透明基底，具有相對設置的第一表面和第二表面，透明基底設置在腔體內；LED芯片，透明基底的第一表面承載LED芯片；以及量子點層，位于腔體內，并處于透明基底非承載LED芯片的一側。該發光裝置將LED芯片和量子點層分別設置在基底的兩側，LED芯片發射的光線穿過透明基底后進入量子點層，即使在短距離范圍內，光線也不會較集中，從而在量子點層中產生的熱量較為均勻，減少了較集中的熱量對量子點的不良影響。

技術領域

本申請屬于量子點領域，特別涉及一種發光裝置。

背景技術

現有的量子點發光裝置，一般由LED芯片激發量子點，從而使得量子點發射光線。但是LED芯片產生的熱量過于集中，對局部的量子點具有非常不利的影響，通常會造成局部的量子點失效。

發明內容

針對上述技術問題，本申請提供一種減少LED芯片對量子點不利影響的發光裝置。

發光裝置包括：透明管，具有管壁所圍的腔體；透明基底，具有相對設置的第一表面和第二表面，透明基底設置在腔體內；LED芯片，透明基底的第一表面承載LED芯片；以及量子點層，位于腔體內，并處于透明基底非承載LED芯片的一側。

該發光裝置將LED芯片和量子點層分別設置在基底的兩側，LED芯片發射的光線穿過透明基底后進入量子點層，即使在短距離范圍內，光線也不會較集中，從而在量子點層中產生的熱量較為均勻，減少了較集中的熱量對量子點的不良影響。

在其中一個實施例中，透明基底沿著透明管的軸向延伸，且透明基底偏離透明管的軸心；優選的，透明基底沿第二表面指第一表面的方向偏離。

在其中一個實施例中，透明基底的邊緣與管壁的內側抵觸；優選的，管壁的內側開設凹槽，透明基底的邊緣插入凹槽內。

在其中一個實施例中，在量子點層中量子點的質量分數為0.1％～10％。

在其中一個實施例中，量子點層包括紅光量子點層和綠光量子點層，紅光量子點層和綠光量子點層分層設置；優選的，綠光量子點層設置在紅光量子點層與管壁之間；紅光量子點層在透明基底上的正投影覆蓋LED芯片在透明基底上的正投影。

在其中一個實施例中，透明基底承載多個LED芯片，相鄰的LED芯片之間的間距為0.5毫米～30毫米。

在其中一個實施例中，透明基底非承載LED芯片的一側設置有粘接層，粘接層位于透明基底的第一表面與管壁之間，以使透明基底與管壁固定連接；優選的，粘接層包括硅樹脂、環氧樹脂、聚丙烯酸酯、聚酰亞胺、聚酰胺或苯并環丁烯中至少一種。

在其中一個實施例中，粘接層包括散射粒子；優選的，散射粒子包括SiO₂或TiO₂或Al₂O₃中至少一種。

在其中一個實施例中，管壁承載有反射層，位于透明基底承載LED芯片的一側的管壁承載反射層；優選的，管壁的外側承載反射層。

在其中一個實施例中，透明基底朝向第一表面方向在管壁上的正投影覆蓋的部分設置有反射層。

附圖說明

圖1為本申請實施例一中的發光裝置的橫截面的結構示意圖；

圖2為圖1中沿A-A剖面結構示意圖；

圖3為本申請實施例二中的發光裝置的橫截面的結構示意圖；

圖4為圖3中沿B-B剖面結構示意圖；

圖5為本申請實施例三中的發光裝置的橫截面的結構示意圖；

圖6為圖5中沿C-C剖面結構示意圖。