[發明專利]蝕刻氣體混合物、圖案形成方法和集成電路裝置制造方法有效
| 申請號： | 201811058676.0 | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN109796981B | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發明（設計）人： | 金度勛;金兌炯;白鐘敏;宋漢德 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社;圓益電子氣體材料有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/00 | 分類號： | C09K13/00;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市立方律師事務所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 蝕刻 氣體 混合物 圖案 形成 方法 集成電路 裝置 制造 | ||
1.一種蝕刻氣體混合物，所述蝕刻氣體混合物包括：
C1-C3全氟烷基次氟酸酯；以及
C1-C10有機硫化合物，所述C1-C10有機硫化合物含有C-S鍵，
其中，所述C1-C10有機硫化合物是含有C-S鍵并且不含氫原子的全氟碳化合物，并且
其中，含有C-S鍵的所述全氟碳化合物包括CFS、CF2S、CF3S、C2F6S、C2F6S2、C2F6S3、C2F6S4、CAS號為30341-38-9的C2F8S、CAS號為1186-51-2的C2F8S、CAS號為42179-02-2的C2F10S、CAS號為354-67-6的C2F10S、C3F6S3、C4F16S2、CAS號為7445-60-5的C4F6S、CAS號為380-40-5的C4F6S、C4F6S2、CAS號為706-76-3的C4F8S、CAS號為2261-43-0的C4F8S或C6F16S。
2.根據權利要求1所述的蝕刻氣體混合物，其中，所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF。
3.根據權利要求1所述的蝕刻氣體混合物，其中，所述蝕刻氣體混合物包括：
10體積％至99體積％的所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯，以及
1體積％至90體積％的所述C1-C10有機硫化合物，所有的體積％基于所述蝕刻氣體混合物的總體積。
4.根據權利要求1所述的蝕刻氣體混合物，所述蝕刻氣體混合物還包括惰性氣體。
5.根據權利要求4所述的蝕刻氣體混合物，其中，所述蝕刻氣體混合物包括：
10體積％至99體積％的所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯，
0.1體積％至90體積％的所述C1-C10有機硫化合物，以及
0.0001體積％至10體積％的所述惰性氣體，所有的體積％基于所述蝕刻氣體混合物的總體積，并且各組分的體積％之和為100體積％。
6.一種形成圖案的方法，所述方法包括：使用根據權利要求1所述的蝕刻氣體混合物來蝕刻薄層。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，所述薄層包括含有硅的層。
8.根據權利要求6所述的方法，其中，所述薄層包括Si3N4層、SiO2層、SiON層、SiCN層、SiC層、SiOC層、氫化非晶氮化硅層或它們的組合。
9.根據權利要求6所述的方法，其中，在所述蝕刻氣體混合物中：
所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF。
10.根據權利要求6所述的方法，其中：
所述蝕刻氣體混合物還包括惰性氣體，
所述C1-C3全氟烷基次氟酸酯包括CF3OF。
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