[發(fā)明專利]一種顯示裝置及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811058622.4 | 申請日: | 2018-09-11 |
| 公開(公告)號: | CN109256486A | 公開(公告)日: | 2019-01-22 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張文智 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知識產權事務所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黃威 |
| 地址: | 430079 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示區(qū)域 顯示面板 制備 阻擋 顯示裝置 分流部 有機層 擋墻 薄膜封裝層 非顯示區(qū)域 層疊設置 分流部位 分流通道 環(huán)形區(qū)域 部包圍 無機層 外圍 分流 | ||
1.一種顯示裝置,其特征在于,包括:
顯示面板,所述顯示面板包括顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域;
擋墻,圍繞所述顯示區(qū)域制備于所述顯示面板上;
薄膜封裝層,制備于所述顯示面板上,包括層疊設置的無機層與有機層;
其中,所述擋墻包括阻擋部與分流部,所述阻擋部包圍所述顯示區(qū)域,所述分流部位于所述阻擋部邊界與所述顯示區(qū)域邊界形成的環(huán)形區(qū)域內,所述分流部與所述阻擋部組合形成分流通道,用以對所述有機層的邊緣部分進行阻擋及分流。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述薄膜封裝層的所述無機層的邊緣延伸至對應所述阻擋部的位置,所述有機層的邊緣對應位于所述環(huán)形區(qū)域內。
3.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述阻擋部為閉合式的,所述分流部為非閉合式的,所述分流部包括至少兩個間隔設置的分流單元。
4.根據(jù)權利要求3所述的顯示裝置,其特征在于,所述分流單元圍繞所述顯示區(qū)域間隔的設置,相鄰兩所述分流單元之間以及所述分流單元與所述阻擋部之間的間隙形成所述分流通道。
5.根據(jù)權利要求4所述的顯示裝置,其特征在于,所述分流單元由所述阻擋部邊界向所述顯示區(qū)域邊界間隔設置,且錯位分布。
6.根據(jù)權利要求4所述的顯示裝置,其特征在于,相鄰兩所述分流單元之間的間距介于0.1um~2um之間,形成所述分流通道;所述分流單元的高度介于0.5um~5um之間,所述分流單元的寬度介于0.5um~15um之間。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述分流部與所述有機層同層制備于所述無機層上,且所述分流部對應位于所述環(huán)形區(qū)域內。
8.根據(jù)權利要求1所述的顯示裝置,其特征在于,所述阻擋部距離所述顯示區(qū)域邊界的距離介于300um至900um之間,所述阻擋部的高度介于0.5um~20um之間,所述阻擋部的寬度介于0.5um~40um之間。
9.一種顯示裝置的制備方法,其特征在于,所述方法包括以下步驟:
步驟S10,提供一顯示面板,所述顯示面板包括顯示區(qū)域以及位于所述顯示區(qū)域外圍的非顯示區(qū)域;
步驟S20,在所述顯示面板的所述非顯示區(qū)域靠近所述顯示區(qū)域的一側形成至少一個環(huán)繞所述顯示區(qū)域的閉合式阻擋部;
步驟S30,在所述阻擋部邊界以及所述顯示區(qū)域邊緣包圍構成的環(huán)形區(qū)域內制備非閉合式分流部,所述分流部包括間隔設置的分流單元,所述分流部與所述阻擋部組合形成分流通道;
步驟S40,進行封裝制程,在所述顯示面板上形成由無機層與有機層層疊設置的薄膜封裝層;其中,所述無機層的邊緣延伸至對應所述阻擋部的位置,所述有機層的邊緣對應位于所述環(huán)形區(qū)域內。
10.根據(jù)權利要求9所述的制備方法,其特征在于,所述分流單元圍繞所述顯示區(qū)域間隔設置,相鄰兩所述分流單元之間以及所述分流單元與所述阻擋部之間的間隙形成所述分流通道,所述阻擋部與所述分流部均采用噴墨打印工藝制備。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





