[發(fā)明專利]近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811058260.9
• 申請(qǐng)日: 2018-09-11
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109405625A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 趙長(zhǎng)穎;闞銀輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海交通大學(xué)
• 主分類號(hào): F28F13/00
• 分類號(hào): F28F13/00;C01B32/19;C01B32/188;C01B32/194;C01B21/064;B82Y30/00
• 代理公司: 上海漢聲知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31236
• 代理人: 莊文莉

1.一種近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，包括高溫物體(1)、低溫物體(3)以及中繼放大器(4)；

所述高溫物體(1)的溫度高于低溫物體(3)的溫度；

所述中繼放大器(4)位于所述高溫物體(1)和低溫物體(3)之間；

所述高溫物體(1)作為熱源；

所述低溫物體(3)作為冷源。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述中繼放大器(4)包括石墨烯(5)、六方氮化硼(6)；

所述石墨烯(5)附著在六方氮化硼(6)上構(gòu)成中繼放大器的材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述高溫物體(1)、低溫物體(3)的材料均包括石墨烯(5)、六方氮化硼(6)；

所述六方氮化硼(6)包覆石墨烯(5)構(gòu)成高溫物體(1)、低溫物體(3)這兩者的材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述中繼放大器(4)包括單元；

所述單元的數(shù)量為多個(gè)；

多個(gè)所述單元包括石墨烯(5)、六方氮化硼(6)；

所述石墨烯(5)的一側(cè)附著在六方氮化硼(6)的任一側(cè)；

一個(gè)單元的六方氮化硼(6)的外側(cè)與另一個(gè)單元的石墨烯(5)的另一側(cè)相連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述高溫物體(1)與中繼放大器(4)之間的距離d₁的范圍為10nm至1000nm；

所述低溫物體(3)與中繼放大器(4)之間的距離d₂的范圍為10nm至1000nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述中繼放大器的厚度δ₂范圍為10nm至200nm。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述高溫物體的厚度δ₁、低溫物體的厚度δ₃范圍均大于10nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)，其特征在于，所述高溫物體(1)、低溫物體(3)以及中繼放大器(4)，均為石墨烯六方氮化硼復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

9.一種權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的近場(chǎng)熱輻射系統(tǒng)的制備方法，其特征在于，包括中繼器制備步驟；

所述中繼器制備步驟包括如下步驟：

單層石墨烯形成步驟：形成單層石墨烯；

復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)形成步驟：將單層石墨烯放置于六方氮化硼兩側(cè)，構(gòu)成復(fù)合異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的近場(chǎng)熱輻射能量放大器，其特征在于，在單層石墨烯形成步驟中，通過(guò)微機(jī)械剝離法或外延生長(zhǎng)法形成單層石墨烯。