[發明專利]界面缺陷表征結構及界面缺陷檢測裝置在審
| 申請號： | 201811056823.0 | 申請日： | 2018-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN108922857A | 公開（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發明（設計）人： | 楊盛瑋;韓坤 | 申請（專利權）人： | 長江存儲科技有限責任公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳;陳麗麗 |
| 地址： | 430074 湖北省武漢市洪山區東*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柵極層 界面缺陷 柵介質層 表征結構 檢測裝置 半導體制造技術 溝道寬度方向 襯底表面 離子類型 相對兩側 摻雜的 襯底 | ||
1.一種界面缺陷表征結構，其特征在于，包括：
襯底；
柵介質層，位于所述襯底表面；
柵極層，包括位于所述柵介質層表面的第一柵極層和位于所述柵介質層沿溝道寬度方向上的相對兩側的第二柵極層，所述第一柵極層與所述第二柵極層摻雜的離子類型相反。
2.根據權利要求1所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，所述襯底內具有摻雜區；
所述摻雜區與所述柵介質層對應設置，且與所述第二柵極層所摻雜的離子類型相同。
3.根據權利要求1所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，還包括：
第一導電插塞，一端與所述襯底接觸、另一端用于接收第一檢測電信號；
第二導電插塞，一端與所述第一柵極層接觸、另一端用于接收第二檢測電信號；
第三導電插塞，一端與所述第二柵極層接觸、另一端用于接收第三檢測電信號。
4.根據權利要求2所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，所述摻雜區與所述第二柵極層均為p-型離子摻雜，所述第一柵極層為n-型離子摻雜。
5.根據權利要求2所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，所述摻雜區與所述第二柵極層均為n-型離子摻雜，所述第一柵極層為p-型離子摻雜。
6.根據權利要求4或5所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，所述摻雜區的離子摻雜濃度大于所述第二柵極層的離子摻雜濃度。
7.根據權利要求4或5所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，所述第一柵極層的離子摻雜濃度與所述第二柵極層的離子摻雜濃度相同。
8.根據權利要求1所述的界面缺陷表征結構，其特征在于，還包括：
位于所述襯底內的淺溝槽隔離區，所述淺溝槽隔離區位于所述柵介質層沿所述溝道寬度方向上的相對兩側；
所述第二柵極層至少部分覆蓋所述淺溝槽隔離區。
9.一種界面缺陷檢測裝置，用于對如上述權利要求1-8中任一項所述的界面缺陷表征結構進行界面缺陷檢測，其特征在于，包括：
檢測部，用于分別向所述襯底、所述第一柵極層、所述第二柵極層施加電信號，以檢測所述柵介質層與所述第一柵極層接觸界面的缺陷密度。
10.根據權利要求9所述的界面缺陷檢測裝置，其特征在于，所述檢測部為電荷泵。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
