[發(fā)明專利]通過(guò)DC偏壓調(diào)制的顆粒產(chǎn)生抑制器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811056805.2 | 申請(qǐng)日： | 2014-10-15 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108922844A | 公開(kāi)（公告）日： | 2018-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 白宗薰;S·樸;陳興隆;D·盧博米爾斯基 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 應(yīng)用材料公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32 | 分類(lèi)號(hào)： | H01J37/32;C23C16/44;C23C16/503;C23C16/509;C23C16/52 |
| 代理公司： | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人： | 汪駿飛;侯穎媖 |
| 地址： | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼： | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 等離子體 頂部電極 電位差 底部電極 電極 最小化 通電 接地 離子 處理腔室 基板表面 膜沉積 碰撞力 涂覆層 抑制器 減小 調(diào)制 平行 施加 | ||
1.一種用于處理基板的設(shè)備，包括：
等離子體腔室；
蓋組件，設(shè)置在所述等離子體腔室上方，所述蓋組件包括頂部電極和底部電極，所述底部電極定位成與所述頂部電極基本上平行；
基板支撐件，設(shè)置在所述等離子體腔室內(nèi)，所述基板支撐件具有基板支撐表面；以及
氣體分配板，設(shè)置在所述基板支撐件與所述蓋組件之間，
其中，所述頂部電極與射頻(RF)電源和DC偏壓調(diào)制配置電通信，并且所述DC偏壓調(diào)制配置被配置成在工藝期間以恒定為零的DC偏壓電壓操作所述頂部電極。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述DC偏壓調(diào)制配置被設(shè)置在所述頂部電極與地之間。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述DC偏壓調(diào)制配置包括DC電源和功率控制器，所述功率控制器被配置成對(duì)所述頂部電極施加恒定為零的DC偏壓電壓。
4.如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述DC偏壓調(diào)制配置還包括耦接至所述DC電源的RF濾波器。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述DC偏壓調(diào)制配置包括電部件，所述電部件可操作為將在所述頂部電極處產(chǎn)生的DC偏壓引導(dǎo)至地。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述電部件包括低通濾波器。
7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述電部件可操作為對(duì)來(lái)自所述RF電源的RF信號(hào)提供高阻抗路徑并且對(duì)來(lái)自所述頂部電極的DC信號(hào)提供低阻抗路徑或無(wú)阻抗路徑。
8.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述電部件包括芯元件以及繞所述芯元件的一部分纏繞的線圈。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其中所述芯元件包括高導(dǎo)磁率的桿或管。
10.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述電部件包括以單極或多級(jí)配置的帶通濾波器。
11.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述工藝是基板處理工藝，所述基板處理工藝使用包括蝕刻劑或離子化的活性基的工藝氣體。
12.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述RF電源在所述工藝期間提供約5W至5000W的RF功率。
13.一種用于基板處理腔室的蓋組件，所述蓋組件包括：
頂部電極和底部電極，所述底部電極定位成與所述頂部電極相對(duì)，其中所述頂部電極與射頻(RF)電源和DC偏壓調(diào)制配置電通信，并且所述DC偏壓調(diào)制配置可操作為在基板處理工藝期間向所述頂部電極提供恒定為零的DC偏壓電壓。
14.如權(quán)利要求13所述的蓋組件，其中所述DC偏壓調(diào)制配置包括DC電源和功率控制器，所述功率控制器可操作為對(duì)所述頂部電極施加恒定為零的DC偏壓電壓。
15.如權(quán)利要求13所述的蓋組件，其中所述DC偏壓調(diào)制配置還包括耦接至所述DC電源的RF濾波器。
16.如權(quán)利要求13所述的蓋組件，其中所述DC偏壓調(diào)制配置包括電部件，所述電部件可操作為將在所述頂部電極處產(chǎn)生的DC偏壓引導(dǎo)至地。
17.如權(quán)利要求16所述的蓋組件，其中所述電部件包括芯元件以及繞所述芯元件的一部分纏繞的線圈。
18.如權(quán)利要求17所述的蓋組件，其中所述芯元件包括高導(dǎo)磁率的桿或管。
19.如權(quán)利要求16所述的蓋組件，其中所述電部件包括以單極或多級(jí)配置的帶通濾波器。
20.如權(quán)利要求13所述的蓋組件，其中所述RF電源在所述基板處理工藝期間提供約5W至5000W的RF功率。
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