[發(fā)明專利]電子元件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811056458.3
• 申請日: 2018-09-11
• 公開（公告）號: CN109273933A
• 公開（公告）日: 2019-01-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林慶其
• 申請（專利權(quán)）人: 番禺得意精密電子工業(yè)有限公司
• 主分類號: H01R13/6581
• 分類號: H01R13/6581
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明公開了一種電子元件，其特征在于，包括：一絕緣基體；一絕緣層，設(shè)于所述絕緣基體外；一屏蔽件，設(shè)于所述絕緣基體與所述絕緣層之間；多個(gè)導(dǎo)電體，收容于所述絕緣基體，包括至少一電源體；其中，每一所述電源體外設(shè)有一屏蔽層以及設(shè)于所述電源體與所述屏蔽層之間的一絕緣體，所述屏蔽層收容于所述屏蔽件。本發(fā)明的電子元件通過在所述電源體外設(shè)有一屏蔽層以及設(shè)于所述電源體與所述屏蔽層之間的一絕緣體，實(shí)現(xiàn)所述屏蔽層對所述電源體的屏蔽，以此來減小所述電源體對信號體的干擾，從而提高了高頻信號的傳輸質(zhì)量。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種電子元件，尤指一種用于傳輸穩(wěn)定高頻信號的電子元件。

背景技術(shù)

隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子元件的電子信號在傳輸過程中，信號導(dǎo)電體的高頻信號傳輸衰減不僅會受到介質(zhì)的影響，也會受到相鄰導(dǎo)電體的干擾。尤其是當(dāng)信號導(dǎo)電體在傳輸高頻信號時(shí)，其相鄰的導(dǎo)電體為電源導(dǎo)電體，此時(shí)，高頻信號傳輸過程中受電源導(dǎo)電體的干擾較為嚴(yán)重。業(yè)界通常采用在用于傳輸高頻信號的信號導(dǎo)電體的周圍設(shè)置屏蔽層以此來隔離其他導(dǎo)電體對其的干擾。

然而，在一般電子元件中，信號導(dǎo)電體的數(shù)量要遠(yuǎn)大于電源導(dǎo)電體，那么在信號導(dǎo)電體外設(shè)置屏蔽層的數(shù)量會較多，因此成本較大，且對于信號干擾的問題，改善十分有限。

因此，有必要設(shè)計(jì)一種改良的電子元件，以克服上述問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的創(chuàng)作目的在于提供一種高頻信號傳輸更優(yōu)的電子元件。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)手段：

一種電子元件，其特征在于，包括：

一絕緣基體；

一絕緣層，設(shè)于所述絕緣基體外；

一屏蔽件，設(shè)于所述絕緣基體與所述絕緣層之間；

多個(gè)導(dǎo)電體，收容于所述絕緣基體，包括至少一電源體；

其中，每一所述電源體外設(shè)有一屏蔽層以及設(shè)于所述電源體與所述屏蔽層之間的一絕緣體，所述屏蔽層收容于所述屏蔽件。

進(jìn)一步，所述屏蔽層與所述屏蔽件相接觸。

進(jìn)一步，所述電源體為圓柱狀，其余所述導(dǎo)電體為扁平狀。

進(jìn)一步，所述絕緣體設(shè)于所述電源體外圍呈筒狀，所述屏蔽層設(shè)于所述絕緣體外圍呈筒狀。

進(jìn)一步，所述絕緣體與所述屏蔽層均呈圓筒狀。

進(jìn)一步，所述屏蔽件包括設(shè)于所述絕緣基體上方的一上屏蔽件以及設(shè)于所述絕緣基體下方的一下屏蔽件，所述絕緣層包括設(shè)于所述上屏蔽件上方的一上絕緣層以及設(shè)于所述下屏蔽件下方的一下絕緣層。

進(jìn)一步，所述絕緣體分別向上及向下凸出于所述絕緣基體。

進(jìn)一步，多個(gè)所述導(dǎo)電體在橫向方向并排設(shè)置，多個(gè)所述導(dǎo)電體還包括多個(gè)信號體及多個(gè)接地體。

進(jìn)一步，所述接地體的體積大于所述信號體的體積。

進(jìn)一步，所述電源體與相鄰所述信號體之間的距離大于等于相鄰兩個(gè)所述信號體之間的距離。

進(jìn)一步，所述電源體與相鄰所述信號體之間的距離大于等于所述接地體與相鄰所述信號體之間的距離。

進(jìn)一步，相鄰兩個(gè)所述信號體之間的距離與所述接地體與相鄰所述信號體之間的距離相等。

進(jìn)一步，多個(gè)所述導(dǎo)電體依序排列為：所述接地體、兩個(gè)所述信號體、所述電源體、四個(gè)所述信號體、所述電源體、兩個(gè)所述信號體、所述接地體。

進(jìn)一步，多個(gè)所述導(dǎo)電體還包括與其中一個(gè)所述電源體相鄰設(shè)置的一接地體及設(shè)于兩者之間用于傳輸差分信的一對信號體。