[發(fā)明專利]基板液處理裝置、基板液處理方法以及存儲(chǔ)介質(zhì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811055905.3 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109494152A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 土屋孝文;石井佑樹(shù);益富裕之;藤津成吾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L21/302 | 分類號(hào): | H01L21/302 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氣體供給線 處理槽 基板液處理裝置 氣體供給部 處理液 基板 存儲(chǔ)介質(zhì) 氣體噴嘴 減壓部 液處理 供給氣體 收容基板 減壓 引入 噴出 去除 空閑 收容 | ||
1.一種基板液處理裝置,具備:
處理槽,其收容處理液和基板;
氣體噴嘴,其在所述處理槽內(nèi)的下部噴出氣體;
氣體供給部,其供給所述氣體;
氣體供給線,其將所述氣體噴嘴和所述氣體供給部連接;
減壓部,其通過(guò)使所述氣體供給線減壓來(lái)向所述氣體供給線引入所述處理槽內(nèi)的所述處理液;以及
控制部,其構(gòu)成為在所述處理槽中沒(méi)有收容所述基板的空閑期間的一部分期間執(zhí)行如下的第一控制:控制所述氣體供給部以停止所述氣體的供給,并且控制所述減壓部以向所述氣體供給線引入所述處理液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述控制部在所述空閑期間交替地重復(fù)執(zhí)行所述第一控制和以下的第二控制,所述第二控制為控制所述氣體供給部以進(jìn)行所述氣體的供給。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板液處理裝置,其特征在于,
還具備開(kāi)放線,所述開(kāi)放線將在所述氣體供給線中流動(dòng)的氣體向大氣開(kāi)放,
所述減壓部具有能夠?qū)λ鲩_(kāi)放線進(jìn)行開(kāi)閉的閥,通過(guò)打開(kāi)該閥來(lái)使所述氣體供給線減壓,
所述控制部執(zhí)行第三控制和第四控制來(lái)作為所述處理液被引入到所述氣體供給線的狀態(tài)下的所述第二控制,所述第三控制為如下控制:控制所述氣體供給部以進(jìn)行所述氣體的供給,并且控制所述減壓部以打開(kāi)所述閥來(lái)使在所述氣體供給線中流動(dòng)的氣體流入所述開(kāi)放線,第四控制為如下控制:控制所述氣體供給部以進(jìn)行所述氣體的供給,并且控制所述減壓部以關(guān)閉所述閥來(lái)使在所述氣體供給線中流動(dòng)的氣體流向所述氣體噴嘴側(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述控制部執(zhí)行第五控制和第六控制來(lái)作為所述第四控制,所述第五控制為如下控制:控制所述氣體供給部以使被引入到所述氣體供給線的所述處理液流入所述處理槽,所述第六控制為如下控制:控制所述氣體供給部以使被引入到所述氣體供給線的所述處理液在所述氣體供給線內(nèi)搖動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述空閑期間中具有從在所述處理槽中進(jìn)行針對(duì)所述基板的處理的基板處理期間轉(zhuǎn)變的第一空閑期間以及從在所述處理槽中進(jìn)行所述處理液的更換的處理液更換期間轉(zhuǎn)變的第二空閑期間,
所述控制部控制所述減壓部,以使所述第二空閑期間的所述第一控制中的所述處理液的引入量比所述第一空閑期間的所述第一控制中的所述處理液的引入量大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述控制部于在所述處理槽中進(jìn)行所述處理液的更換的處理液更換期間的至少一部分期間執(zhí)行如下的高流量控制:控制所述氣體供給部,以使來(lái)自所述氣體噴嘴的所述氣體的噴出量比在所述處理槽中進(jìn)行針對(duì)所述基板的處理的基板處理期間的該噴出量多。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述控制部在所述處理液更換期間中的供給新的處理液之后的清潔期間執(zhí)行所述高流量控制。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述控制部在所述清潔期間在開(kāi)始使所述新的處理液升溫的升溫控制之后執(zhí)行所述高流量控制。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板液處理裝置,其特征在于,
所述控制部監(jiān)視所述高流量控制的執(zhí)行過(guò)程中的所述氣體噴嘴的壓力值。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板液處理裝置,其特征在于,
在所述氣體噴嘴的壓力值超過(guò)規(guī)定值的情況下,所述控制部估計(jì)為所述氣體噴嘴產(chǎn)生了堵塞,結(jié)束所述處理槽中的各種處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3、4、7、8、10中的任一項(xiàng)所述的基板液處理裝置,其特征在于,
還具備攝像部,所述攝像部設(shè)置于能夠拍攝所述處理槽內(nèi)的所述處理液的位置。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





