[發(fā)明專(zhuān)利]一種改進(jìn)型高線(xiàn)性度壓控增益衰減器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811055254.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109391239A | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李迪;費(fèi)春龍;楊銀堂;李婭妮;陳韻 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 西安電子科技大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | H03G3/30 | 分類(lèi)號(hào): | H03G3/30 |
| 代理公司: | 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11340 | 代理人: | 劉黎明 |
| 地址: | 710071 陜*** | 國(guó)省代碼: | 陜西;61 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 衰減陣列 比較器陣列 衰減晶體管 電壓跟蹤 高線(xiàn)性度 增益衰減 改進(jìn)型 衰減 模擬參考電壓 壓控衰減器 襯底電壓 電阻分壓 核心電路 失真性能 信號(hào)支路 產(chǎn)生器 傳統(tǒng)的 大動(dòng)態(tài) 衰減器 線(xiàn)性度 晶體管 改進(jìn) 保證 | ||
1.一種改進(jìn)型高線(xiàn)性度壓控增益衰減器,其特征在于:包括模擬參考電壓產(chǎn)生器、電壓跟蹤與比較器陣列和CMOS晶體管衰減陣列;衰減增益控制電壓信號(hào)x1由外部電路直接提供,根據(jù)衰減需要可以進(jìn)行手動(dòng)調(diào)節(jié);電壓跟蹤與比較器陣列模塊對(duì)來(lái)自于模擬參考電壓產(chǎn)生器的輸出參考電壓信號(hào)x2和衰減增益控制電壓信號(hào)x1進(jìn)行比較,當(dāng)衰減增益控制電壓信號(hào)x1小于模擬參考電壓產(chǎn)生器的輸出參考電壓信號(hào)x2時(shí),電壓跟蹤與比較器陣列模塊的輸出信號(hào)x3等于衰減增益控制電壓信號(hào)x1,實(shí)現(xiàn)對(duì)衰減增益控制電壓信號(hào)的跟蹤;當(dāng)衰減增益控制電壓信號(hào)x1大于模擬參考電壓產(chǎn)生器的輸出參考電壓信號(hào)x2時(shí),電壓跟蹤與比較器陣列的輸出信號(hào)x3為系統(tǒng)高電平;CMOS晶體管衰減陣列在電壓跟蹤與比較器陣列輸出信號(hào)x3的控制下對(duì)輸入超聲回波信號(hào)x4進(jìn)行增益衰減,并產(chǎn)生增益衰減后的模擬信號(hào)x5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型高線(xiàn)性度壓控增益衰減器,其特征在于:電壓跟蹤與比較器陣列由7個(gè)完全相同的電壓跟蹤與比較器組成,每個(gè)電壓跟蹤與比較器分別對(duì)輸入電壓控制信號(hào)Vctrl和來(lái)自于模擬參考電壓產(chǎn)生器的7個(gè)模擬參考電壓Vref1~Vref7進(jìn)行比較;以第一個(gè)電壓跟蹤與比較器為例,當(dāng)輸入電壓控制信號(hào)Vctrl小于參考電壓Vref1時(shí),輸出信號(hào)Vc1等于Vctrl,實(shí)現(xiàn)跟蹤功能;當(dāng)輸入電壓控制信號(hào)Vctrl小于參考電壓Vref1時(shí),輸出信號(hào)Vc1等于系統(tǒng)高電平,實(shí)現(xiàn)比較功能;Vc1~Vc7為電壓跟蹤與比較器陣列的輸出信號(hào),提供給CMOS晶體管衰減陣列模塊對(duì)衰減晶體管進(jìn)行控制。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型高線(xiàn)性度壓控增益衰減器,其特征在于:電壓跟蹤與比較器陣列中的7個(gè)電壓跟蹤與比較器完全相同,以第一個(gè)電壓跟蹤與比較器為例進(jìn)行說(shuō)明;Vref1為模擬參考電壓產(chǎn)生器所產(chǎn)生的第一個(gè)參考電壓;電阻R9的一端連接電源電壓VDD,另一端連接晶體管M1的漏端,并作為第一個(gè)電壓跟蹤與比較器的輸出信號(hào)端;晶體管M1的源端(Vx)連接分兩路分別連接電阻R10的一端和運(yùn)算放大器OPA的負(fù)極,電阻R2的另一端連接外部輸入控制電壓端;模擬參考電壓產(chǎn)生器所產(chǎn)生的第一個(gè)參考電壓Vref1進(jìn)入運(yùn)算放大器OPA,運(yùn)算放大器OPA的輸出端連接晶體管M1的柵端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改進(jìn)型高線(xiàn)性度壓控增益衰減器,其特征在于:CMOS晶體管衰減陣列為全差分結(jié)構(gòu),Vin+和Vin-為CMOS晶體管衰減陣列的正、負(fù)差分輸入信號(hào),Vout+和Vout-分別為CMOS晶體管衰減陣列的正、負(fù)差分輸出信號(hào),Vc1~Vc7為電壓跟蹤與比較器陣列的輸出信號(hào),分別連接衰減晶體管M9~M15的柵端,電阻Rin1一端連接輸入信號(hào)Vin+端,另一端分8路分別連接晶體管M9~M15的漏端和電阻Rsub1的一端,并連接CMOS晶體管衰減陣列的正極輸出端;電阻Rin2一端連接輸入信號(hào)Vin-端,另一端分8路分別連接晶體管M9~M15的源端和電阻Rsub2的一端,并連接CMOS晶體管衰減陣列的負(fù)極輸出端;電阻Rsub1和Rsub2串聯(lián)連接,其中點(diǎn)連接處連接晶體管M9~M15襯底。
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