[發明專利]一種白光發光二極管及其制備方法有效
| 申請號： | 201811052026.5 | 申請日： | 2018-09-10 |
| 公開（公告）號： | CN109285927B | 公開（公告）日： | 2020-01-07 |
| 發明（設計）人： | 曹先安;李珊;劉能;劉凌云 | 申請（專利權）人： | 湖北工業大學 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/44;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司： | 42222 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) | 代理人： | 胡琦旖 |
| 地址： | 430068 湖北*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬納米顆粒 白光發光二極管 有機發光聚合物 無機發光層 制備 半導體照明 有機聚合物 發光效率 混合結構 降頻轉換 制備工藝 發白光 白光 覆蓋 | ||
1.一種白光發光二極管，其特征在于，包括：無機發光層結構、金屬納米顆粒、有機發光聚合物；所述金屬納米顆粒位于所述無機發光層結構之上，所述金屬納米顆粒上覆蓋所述有機發光聚合物；
所述無機發光層結構包括無機LED發光層；所述金屬納米顆粒與所述無機LED發光層之間的距離小于50nm。
2.根據權利要求1所述的白光發光二極管，其特征在于，所述無機發光層結構為無機藍光LED結構或無機紫外LED結構，所述無機發光層結構包括從下至上依次層疊接觸的無機LED基底、N型氮化物半導體層、無機LED發光層、P型氮化物半導體層。
3.根據權利要求1所述的白光發光二極管，其特征在于，所述無機發光層結構為無機藍光LED結構或無機紫外LED結構，所述無機發光層結構包括從下至上依次層疊接觸的無機LED基底、P型氮化物半導體層、無機LED發光層、N型氮化物半導體層。
4.根據權利要求1所述的白光發光二極管，其特征在于，所述金屬納米顆粒為銀納米顆粒、金納米顆粒、金銀合金納米顆粒中的一種；所述有機發光聚合物為PPV、PPV衍生物、聚芴、聚芴衍生物中的一種。
5.一種白光發光二極管的制備方法，其特征在于，在無機發光層結構上沉積金屬納米顆粒，在所述金屬納米顆粒上沉積有機發光聚合物；
所述無機發光層結構包括無機LED發光層；所述金屬納米顆粒與所述無機LED發光層之間的距離小于50nm。
6.根據權利要求5所述的白光發光二極管的制備方法，其特征在于，所述無機發光層結構為無機藍光LED結構或無機紫外LED結構，所述無機發光層結構包括從下至上依次層疊接觸的無機LED基底、N型氮化物半導體層、無機LED發光層、P型氮化物半導體層。
7.根據權利要求6所述的白光發光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在所述無機發光層結構的所述P型氮化物半導體層上利用光刻成型和等離子腐蝕形成一系列的氣孔，所述氣孔不穿透所述P型氮化物半導體層；
在所述氣孔中通過熱蒸發或溶液工藝沉積所述金屬納米顆粒；
在所述金屬納米顆粒上沉積所述有機發光聚合物。
8.根據權利要求5所述的白光發光二極管的制備方法，其特征在于，所述無機發光層結構為無機藍光LED結構或無機紫外LED結構，所述無機發光層結構包括從下至上依次層疊接觸的無機LED基底、P型氮化物半導體層、無機LED發光層、N型氮化物半導體層。
9.根據權利要求8所述的白光發光二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在所述無機發光層結構的所述N型氮化物半導體層上，利用光刻成型和等離子腐蝕形成一系列的氣孔，所述氣孔不穿透所述N型氮化物半導體層；
在所述氣孔中通過熱蒸發或溶液工藝沉積所述金屬納米顆粒；
在所述金屬納米顆粒上沉積所述有機發光聚合物。
10.根據權利要求5所述的白光發光二極管的制備方法，其特征在于，所述金屬納米顆粒為銀納米顆粒、金納米顆粒、金銀合金納米顆粒中的一種；所述有機發光聚合物為PPV、PPV衍生物、聚芴、聚芴衍生物中的一種。
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