[發明專利]掩模基底及其制造方法、相移掩模及其制造方法

有效

• 申請號: 201811051930.4
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN109782525B
• 公開（公告）日: 2023-10-27
• 發明（設計）人: 諸沢成浩
• 申請（專利權）人: 愛發科成膜株式會社
• 主分類號: G03F1/26
• 分類號: G03F1/26;G03F1/48
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 崔今花;周艷玲

本發明提供一種掩模基底及其制造方法、相移掩模及其制造方法。本發明的掩模基底為具有成為相移掩模的層的掩模基底，所述掩模基底具有：層疊在透明基板上的相移層和低反射率層；和耐化學品層，設置在比所述相移層及所述低反射率層更遠離所述透明基板的位置上且提高了耐化學品性，所述耐化學品層中的含氮率被設定為比所述低反射率層的含氮率高。

技術領域

本發明涉及一種適合在掩模基底、相移掩模、掩模基底的制造方法及相移掩模的制造方法中使用的技術。

背景技術

隨著平板顯示器(flat panel display，FPD)的高細致化，形成微細圖案的需求正在提高。因此，不僅使用一直以來采用的遮光膜的掩模，而且使用邊緣增強型的相移掩模(PSM掩模)(參照專利文獻1)。

這種相移掩模要求降低反射率。

專利文獻1：再公表WO2004/070472號公報

這種相移掩模優選在曝光時降低反射率，因此需要將折射率低的膜形成于表面。在相移掩模中為了獲得折射率低的膜，優選采用由經過氧化的金屬構成的氧化膜。

另一方面，為了從掩模中去除影響光學特性的污染物質，需要使用酸性或堿性的化學液體來清洗掩模。已知在該清洗工序中經氧化的金屬膜對堿溶液的耐性較差。

然而，對于在相移掩模中使用的金屬膜來說，已知促進膜的氧化與對堿溶液的耐性(耐化學液體性)之間具有此消彼長的關系。

在相移掩模中，要求同時實現反射率較小及耐化學液體性較強的相移膜。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而提出的，其目的是實現一種同時具有較小的反射率及較強的耐化學液體性的相移膜。

本發明的第一方式所涉及的掩模基底通過以下技術方案解決上述課題。一種掩模基底，具有成為相移掩模的層，所述掩模基底具有：層疊在透明基板上的相移層和低反射率層；和耐化學品層，設置在比所述相移層及所述低反射率層更遠離所述透明基板的位置上且提高了耐化學品性，所述耐化學品層中的含氮率被設定為比所述低反射率層的含氮率高。

在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，優選所述低反射率層的含氧率被設定為比所述耐化學品層的含氧率高。

就本發明的第一方式所涉及的掩模基底而言，在所述耐化學品層和所述低反射率層中，分光反射率可以具有在波長400nm附近向下凸出的輪廓。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述低反射率層在波長405nm下的折射率可被設定為2.2以下。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述耐化學品層在波長405nm下的折射率可被設定為2.4以上。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述耐化學品層和所述低反射率層可由硅化物構成。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述耐化學品層的含氮率可以是36atm％以上。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述低反射率層的含氮率可以是35atm％以下且含氧率為30atm％以上。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述耐化學品層的膜厚可以是15nm以下。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述相移層在波長405nm下的折射率可被設定為2.4以上。

另外，在本發明的第一方式所涉及的掩模基底中，所述相移層的含氮率可以是36atm％以上。

另外，本發明的第二方式所涉及的相移掩模使用上述第一方式所涉及的掩模基底來制造。