[發明專利]一種糾錯方法、系統、裝置及計算機可讀存儲介質在審
| 申請號: | 201811051571.2 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109144771A | 公開(公告)日: | 2019-01-04 |
| 發明(設計)人: | 郭峰 | 申請(專利權)人: | 浪潮電子信息產業股份有限公司 |
| 主分類號: | G06F11/10 | 分類號: | G06F11/10;G11C29/42 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 羅滿 |
| 地址: | 250101 山東*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 讀取 出錯率 硬解碼 糾錯 計算機可讀存儲介質 預設參考電壓 讀取操作 糾錯能力 閃存 算法 固定參考電壓 參考電壓 仿真操作 技術效果 糾錯系統 糾錯效果 目標環境 讀寫 廠商 申請 | ||
1.一種糾錯方法,其特征在于,包括:
利用與待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率;其中,所述第一預設參考電壓為預先通過讀寫仿真操作確定的最優參考電壓;
判斷所述第一讀取出錯率是否在LDPC硬解碼算法的糾錯能力范圍內;
若是,則利用所述LDPC硬解碼算法對讀取操作中出錯的數據進行糾錯。
2.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述利用與待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率之前,還包括:
利用第二預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第二讀取出錯率;其中,所述第二預設參考電壓為LDPC硬解碼算法對應的預設參考電壓;
判斷所述第二讀取出錯率是否在所述LDPC硬解碼算法的糾錯能力范圍內;
若是,則利用所述LDPC硬解碼算法對讀取操作中出錯的數據進行糾錯;
若否,則執行所述利用與待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率的步驟。
3.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述判斷所述第一讀取出錯率是否在所述LDPC硬解碼算法的糾錯能力范圍內之后,還包括:
若否,則利用LDPC軟解碼算法對讀取操作中出錯的數據進行糾錯。
4.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述待讀取數據的目標環境信息包括所述待讀取數據所在頁的目標頁類型;
則利用與待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率,包括:
確定與所述目標頁類型對應的第一預設參考電壓;
利用與所述目標頁類型對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率。
5.根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述待讀取數據的目標環境信息包括所述閃存的目標閃存環境信息;
則所述利用與所述待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率,包括:
確定與所述目標閃存環境信息對應的第一預設參考電壓;
利用與所述目標閃存環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率。
6.根據權利要求5所述的方法,其特征在于,所述目標閃存環境信息包括:
所述閃存當前累積被讀取的次數信息、所述待讀取數據在所述閃存中保存時間信息、所述閃存當前累積被擦與寫的次數信息與所述待讀取數據的讀寫橫跨溫度;所述讀寫橫跨溫度為所述閃存被寫入所述待讀取數據時的溫度與所述閃存被讀取所述待讀取數據時的溫度的差值。
7.根據權利要求1至6任意一項所述的方法,其特征在于,所述利用與待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率之前,還包括:
向仿真閃存中寫入仿真數據;所述仿真閃存為用于進行讀寫仿真操作的閃存,所述仿真數據為用于進行讀寫仿真操作的數據;
利用所述目標環境信息對所述仿真數據進行預設次數讀取操作,其中每次讀取操作分別在不同參考電壓下進行;
統計每次讀取操作的出錯率;
確定出錯率最小的一次讀取操作對應的最優參考電壓,作為所述第一預設參考電壓。
8.一種糾錯系統,其特征在于,包括:
讀取模塊,用于利用與待讀取數據的目標環境信息對應的第一預設參考電壓讀取所述待讀取數據,確定第一讀取出錯率;其中,所述第一預設參考電壓為預先通過讀寫仿真操作確定的最優參考電壓;
判斷模塊,用于判斷所述第一讀取出錯率是否在LDPC硬解碼算法的糾錯能力范圍內;
糾錯模塊,用于當所述第一讀取出錯率在LDPC硬解碼算法的糾錯能力范圍內時,利用所述LDPC硬解碼算法對讀取操作中出錯的數據進行糾錯。
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