[發明專利]晶體硅太陽能電池擴散層及其制備方法

有效

• 申請號: 201811050878.0
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110896117B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 馮雪;蔣曄;陳穎;付浩然;張柏誠;劉蘭蘭;王志建;邰艷龍;彭祖軍
• 申請（專利權）人: 浙江清華柔性電子技術研究院;清華大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/225;H01L31/068
• 代理公司: 杭州華進聯浙知識產權代理有限公司 33250
• 代理人: 李麗華

1.一種晶體硅太陽能電池擴散層的制備方法，其特征在于，包括：

⑴提供硅片以及擴散源；

⑵將所述擴散源置于所述硅片表面上而形成預制層，所述預制層的厚度小于等于2μm；采用打印方法將所述擴散源置于所述硅片一表面上形成預制層；單次打印時的高寬比為2:1～1:10；

⑶對帶有所述預制層的硅片進行退火處理，使所述預制層中的擴散元素擴散進入所述硅片中，形成擴散層；所述退火處理的溫度為600℃～1000℃，時間為20分鐘～120分鐘；

退火處理過程中，預制層保持在打印區域不偏出，預制層的溶劑揮發后擴散元素擴散進入硅片中，屬于固態擴散，不會在硅片的另一表面及側面上形成擴散層；

所述擴散源為POCl₃、P₂O₅、BBr₃、BCl₃、B₂H₆或硼粉摻雜的硅墨水；

在退火處理時通入保護氣體，所述保護氣體包括氮氣、氬氣中的至少一種，所述保護氣體中還包括氧氣，所述氧氣的通入量為5％～50％。

2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池擴散層的制備方法，其特征在于，所述打印方法包括墨水直寫、噴墨打印中的一種。

3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池擴散層的制備方法，其特征在于，所述硅片的厚度為5μm～100μm。

4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池擴散層的制備方法，其特征在于，在所述硅片上間隔形成多個所述預制層。

5.一種如權利要求1～4任一項所述制備方法得到的晶體硅太陽能電池擴散層，其特征在于，所述擴散層的方阻為20Ω/□～110Ω/□。