[發(fā)明專利]基板結(jié)構(gòu)及其制作方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811049963.5
• 申請日: 2018-09-10
• 公開（公告）號: CN110890316B
• 公開（公告）日: 2022-07-12
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳裕華;陳富揚;簡俊賢;陳建州
• 申請（專利權(quán)）人: 欣興電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/522
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 羅英;臧建明

本發(fā)明提供一種基板結(jié)構(gòu)及其制作方法，其包括以下步驟。形成第一增層線路結(jié)構(gòu)。形成至少一銅柱于第一增層線路結(jié)構(gòu)上。形成介電層于第一增層線路結(jié)構(gòu)上，且介電層包覆銅柱。形成第二增層線路結(jié)構(gòu)與電容元件于介電層上。其中，第二增層線路結(jié)構(gòu)與第一增層線路結(jié)構(gòu)分別位于介電層的相對兩側(cè)。電容元件配置于第二增層線路結(jié)構(gòu)內(nèi)的電容元件設(shè)置區(qū)。銅柱貫穿介電層且電性連接第二增層線路結(jié)構(gòu)與第一增層線路結(jié)構(gòu)。提供一種由上述基板結(jié)構(gòu)的制作方法所制得的基板結(jié)構(gòu)。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種基板結(jié)構(gòu)及其制作方法，尤其涉及一種具有銅柱與電容元件的基板結(jié)構(gòu)及其制作方法。

背景技術(shù)

目前，電路設(shè)計上為了追求功率完整性(power integrity)，通常會加入許多的被動元件(如電阻，電容，電感)來濾除噪聲。一般立體型(discrete)電容的體積較大，常見直接焊接在基板上，但有時也會將其埋入基板或介電材料層中以減少整體高度。然而，連接電容的線路長度與電容體積大小有關(guān)。若線路太長，會使線路的電阻增加，進而增加功率的耗損比例。

雖然可以利用晶圓制程來制作微型化電容元件，以得到更薄、電容值更大的電容，但此微型化電容元件在制作上的制程復(fù)雜且品質(zhì)難以控制。另外，由于以玻璃通孔(TGV)形成的電感在制作技術(shù)層面的成本過高且制程時間也相當(dāng)長，以現(xiàn)有技術(shù)無法達(dá)成高量產(chǎn)。因此，如何以簡化制程的方式將被動元件整合在一起，為本領(lǐng)域亟欲解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種基板結(jié)構(gòu)的制作方法，具有簡化制程、減少成本以及提高產(chǎn)量的優(yōu)勢。

本發(fā)明提供一種基板結(jié)構(gòu)，利用上述基板結(jié)構(gòu)的制作方法所制得。

本發(fā)明的基板結(jié)構(gòu)的制作方法包括以下步驟。形成第一增層線路結(jié)構(gòu)。形成至少一銅柱于第一增層線路結(jié)構(gòu)上。形成介電層于第一增層線路結(jié)構(gòu)上，且介電層包覆銅柱。形成第二增層線路結(jié)構(gòu)與電容元件于介電層上。其中，第二增層線路結(jié)構(gòu)與第一增層線路結(jié)構(gòu)分別位于介電層的相對兩側(cè)。電容元件配置于第二增層線路結(jié)構(gòu)內(nèi)的電容元件設(shè)置區(qū)。銅柱貫穿介電層且電性連接第二增層線路結(jié)構(gòu)與第一增層線路結(jié)構(gòu)。

在本發(fā)明的一實施例中，上述在形成第一增層線路結(jié)構(gòu)之前，還包括以下步驟。提供玻璃基板。形成離型層于玻璃基板上。其中，玻璃基板與介電層分別位于第一增層線路結(jié)構(gòu)的相對兩側(cè)。離型層位于第一增層線路結(jié)構(gòu)與玻璃基板之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述形成第一增層線路結(jié)構(gòu)的步驟包括以下步驟。形成第一圖案化線路層于離型層上。形成第一介電層于第一圖案化線路層上。形成第一導(dǎo)電通孔于第一圖案化線路層上，且貫穿第一介電層。形成第二圖案化線路層于第一介電層上。形成第二介電層于第二圖案化線路層上。其中，第一圖案化線路層通過第一導(dǎo)電通孔與第二圖案化線路層電性連接。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的銅柱貫穿第一增層線路結(jié)構(gòu)的第二介電層，且與第二圖案化線路層電性連接。

在本發(fā)明的一實施例中，上述形成第二增層線路結(jié)構(gòu)與電容元件于介電層上的步驟包括以下步驟。形成第三圖案化線路層于介電層上。配置電容元件于介電層上的電容元件設(shè)置區(qū)。形成第三介電層于第三圖案化線路層上，且使第三介電層覆蓋第三圖案化線路層與電容元件。形成多個第二導(dǎo)電通孔于第三圖案化線路層上，且第二導(dǎo)電通孔貫穿第三介電層。形成第四圖案化線路層于第三介電層上，其中第四圖案化線路層與第三圖案化線路層分別位于第三介電層的相對兩側(cè)。第四圖案化線路層通過第二導(dǎo)電通孔電性連接至第三圖案化線路層。第四圖案化線路層通過第二導(dǎo)電通孔電性連接至電容元件。

在本發(fā)明的一實施例中，上述的電容元件設(shè)置于第四圖案化線路層與介電層之間。

在本發(fā)明的一實施例中，上述形成電容元件的步驟包括以下步驟。在形成第三圖案化線路層時，同時形成第一電極于介電層上，且第一電極設(shè)置于電容元件設(shè)置區(qū)。形成第四介電層于第一電極上。形成第二電極于電容元件設(shè)置區(qū)的第四介電層上。移除部分的第二電極以及第四介電層。