[發明專利]一種陣列基板在審
| 申請號: | 201811049295.6 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN110890397A | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | 江歡;葉雪妮;何信儒 | 申請(專利權)人: | 上海和輝光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291 | 代理人: | 黃志華 |
| 地址: | 201506 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陣列 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括基板,設置于所述基板上的隔墊物和像素單元;每個像素單元包括多個子像素;所述隔墊物位于蒸鍍區域內且位于子像素之外;所述蒸鍍區域指在蒸鍍工藝中掩模版的開口區對應的區域。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物位于所述蒸鍍區域內靠近所述蒸鍍區域的邊緣處,且不接觸金屬掩膜版邊緣。
3.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,每種蒸鍍區域分別設置隔墊物。
4.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,設置于蒸鍍區域內的隔墊物均勻分布。
5.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述像素單元包括第一子像素、第二子像素和第三子像素;所述第一子像素和所述第二子像素相鄰設置;
所述第一子像素對應的蒸鍍區域中靠近所述第二子像素的區域中設置有第一隔墊物;
所述第二子像素對應的蒸鍍區域中靠近所述第一子像素的區域中設置有第二隔墊物。
6.如權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,各像素單元中所述第一隔墊物和所述第二隔墊物之間的間距均相等。
7.如權利要求1至6任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物以同一方式設置于所述陣列基板上。
8.如權利要求7所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物的形狀為以下至少一種:柱形隔墊物、半球形隔墊物或球冠形隔墊物。
9.如權利要求1-6任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物為有機材料隔墊物。
10.如權利要求1-6任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊物的高度為0.1μm~3μm。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





