[發明專利]光學元件面形修正方法及裝置

在審

• 申請號: 201811048863.0
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN108890449A
• 公開（公告）日: 2018-11-27
• 發明（設計）人: 李亞國;許喬;金會良;劉志超;耿鋒;袁志剛;王度;歐陽升;張清華;王健
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院激光聚變研究中心
• 主分類號: B24B13/00
• 分類號: B24B13/00;B24B1/00
• 代理公司: 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371
• 代理人: 吳開磊

1.一種光學元件面形修正方法，其特征在于，應用于包括多個團簇離子束產生裝置的光學元件面形修正裝置，其中，各所述團簇離子束產生裝置的輸入口與提供不同源氣的源氣供給單元連接，所述方法包括：

在待加工光學元件的初始面形精度大于第一預設閾值時，開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第一團簇離子束產生裝置并采用第一預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工，直至所述待加工光學元件的面形精度達到第二預設閾值；

在所述待加工光學元件的面形精度在所述第二預設閾值的基礎上，開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第二團簇離子束產生裝置并采用第二預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工，直至所述待加工光學元件的面形精度小于第三預設閾值；

在所述待加工光學元件的面形精度小于所述第三預設閾值的基礎上，開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第三團簇離子束產生裝置并采用第三預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工，直至所述待加工光學元件的表面粗糙度小于設定值。

2.根據權利要求1所述的光學元件面形修正方法，其特征在于，所述在待加工光學元件的初始面形精度大于第一預設閾值時，開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第一團簇離子束產生裝置并采用第一預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工的步驟之前，所述方法還包括：

獲得待加工光學元件的初始面形，根據所述初始面形得到所述待加工光學元件的初始面形精度；

將獲得的所述初始面形與目標設計面形進行比較，以獲得所述待加工光學元件的目標加工點，以及所述目標加工點的目標去除量。

3.根據權利要求2所述的光學元件面形修正方法，其特征在于，所述在待加工光學元件的初始面形精度大于第一預設閾值時，開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第一團簇離子束產生裝置并采用第一預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工的步驟，包括：

在所述待加工光學元件的初始面形精度大于600nm時，開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第一團簇離子束產生裝置并采用第一預設加工模式針對所述待加工光學元件上的目標加工點進行加工。

4.根據權利要求1所述的光學元件面形修正方法，其特征在于，所述開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第一團簇離子束產生裝置并采用第一預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工，直至所述待加工光學元件的面形精度達到第二預設閾值的步驟，包括：

所述第一預設加工模式采用第一團簇離子束產生裝置產生第一Ar團簇離子束，以所述第一Ar團簇離子束對所述待加工光學元件進行加工，以使所述待加工光學元件的面形精度達到第二預設閾值，其中，所述第二預設閾值為60nm。

5.根據權利要求4所述的光學元件面形修正方法，其特征在于，所述第一團簇離子束產生裝置產生第一Ar團簇離子束，以所述第一Ar團簇離子束對所述待加工光學元件進行加工的步驟，包括：

所述第一團簇離子束產生裝置將輸入的第一Ar團簇氣體源轉化為第一Ar團簇離子束，其中，所述第一Ar團簇氣體源的原子數量在1～200之間，所述第一Ar團簇離子束的能量大于等于20kV；

將所述第一Ar團簇離子束以第一入射角的方向作用于所述待加工光學元件以對所述待加工光學元件進行加工，其中，所述第一入射角為0°～90°。

6.根據權利要求1所述的光學元件面形修正方法，其特征在于，所述開啟所述多個團簇離子束產生裝置中的第二團簇離子束產生裝置并采用第二預設加工模式對所述待加工光學元件進行加工，直至所述待加工光學元件的面形精度小于第三預設閾值的步驟，包括：

所述第二預設加工模式采用第二團簇離子束產生裝置產生C₆₀團簇離子束，以所述C₆₀團簇離子束對所述待加工光學元件進行加工，以使所述待加工光學元件的面形精度小于第三預設閾值，其中，所述第三預設閾值為30nm。