[發(fā)明專利]一種改變六苯并蔻類盤(pán)狀液晶分子取向的方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811048132.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-10 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN109061951A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-12-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張智;易子川;楊健君;劉黎明;遲鋒;水玲玲 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 電子科技大學(xué)中山學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1337 | 分類號(hào): | G02F1/1337 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 528400 *** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 類盤(pán) 液晶分子取向 襯底 取向 液晶 液晶復(fù)合膜 襯底加熱 垂直結(jié)構(gòu) 垂直取向 電子器件 復(fù)合薄膜 溶劑揮發(fā) 水熱法制 外加電場(chǎng) 液晶分子 有機(jī)分子 分子面 納米棒 朝上 均一 膜層 膜法 沉積 | ||
1.一種改變六苯并蔻類盤(pán)狀液晶分子取向的方法,其特征在于步驟如下:
(1)用氮化鎵作為襯底,分別采用丙酮、異丙醇、去離子水對(duì)所述襯底進(jìn)行超聲清洗,每次清洗時(shí)間15min,然后用氮?dú)馇謇硭鲆r底表面;
(2)采用磁控濺射方法在所述襯底表面沉積ZnO薄膜,靶材為99.9%鋅靶,襯底溫度200℃,氧氣流量2sccm,射頻功率150W,濺射時(shí)間20min,即制得ZnO薄膜襯底;
(3)將所述ZnO薄膜襯底放入馬弗爐中,400℃高溫退火25min,然后在所述ZnO薄膜上旋涂厚度為70nm的PMMA薄膜,放入真空干燥箱中150℃干燥20min;
(4)采用電子束光刻系統(tǒng)對(duì)所述PMMA薄膜進(jìn)行曝光,刻蝕圖案為排列整齊的圓點(diǎn),所述圓點(diǎn)的直徑為30nm,所述圓點(diǎn)之間的間隔為80-150nm,然后采用20%異丙醇和80%甲基異丁酮的混合溶劑進(jìn)行顯影1min;
(5)將步驟(4)制得的襯底放入裝有前驅(qū)體溶液的反應(yīng)釜中,95℃反應(yīng)生長(zhǎng)1h,然后取出干燥,即制得垂直于所述襯底排列的ZnO納米棒陣列膜層;
(6)將六苯并蔻類盤(pán)狀液晶溶于濃度為0.5w%的氯仿溶液中,然后將所述氯仿溶液滴到ZnO納米棒陣列膜層上,同時(shí)所述襯底加熱到40℃靜置15min。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改變六苯并蔻類盤(pán)狀液晶分子取向的方法,其特征在于所述前驅(qū)體溶液由0.03mol/L的六水合硝酸鋅、0.03mol/L的六亞甲基四胺和0.008mol/L的聚乙烯亞胺組成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改變六苯并蔻類盤(pán)狀液晶分子取向的方法,其特征在于所述ZnO納米棒陣列膜層的厚度大于PMMA薄膜的厚度。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





