[發(fā)明專利]一種光學(xué)薄膜強(qiáng)化方法及激光強(qiáng)化裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811047931.1 | 申請(qǐng)日: | 2018-09-07 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108761580B | 公開(kāi)(公告)日: | 2020-03-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 許喬;李亞國(guó);耿鋒;歐陽(yáng)升;王度;袁志剛;劉志超;金會(huì)良;王健;張清華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心 |
| 主分類號(hào): | G02B1/10 | 分類號(hào): | G02B1/10 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 吳開(kāi)磊 |
| 地址: | 610000 四*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光學(xué)薄膜 強(qiáng)化 方法 激光 裝置 | ||
1.一種光學(xué)薄膜強(qiáng)化方法,其特征在于,應(yīng)用于激光強(qiáng)化裝置,所述激光強(qiáng)化裝置預(yù)存有激光功率與光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系,所述光學(xué)薄膜是由原子層沉積法制備所得;所述方法包括:
以第一預(yù)設(shè)溫度對(duì)應(yīng)的第一功率對(duì)待處理的光學(xué)薄膜進(jìn)行激光掃描;
掃描完成后,以第二預(yù)設(shè)溫度對(duì)應(yīng)的第二功率對(duì)掃描過(guò)后的光學(xué)薄膜進(jìn)行二次激光掃描;
其中,所述第一預(yù)設(shè)溫度高于所述第二預(yù)設(shè)溫度;
激光功率與光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系通過(guò)以下步驟獲得:
輸出激光光束,調(diào)節(jié)所述激光光束的占空比、脈沖寬度和輸出功率;
調(diào)節(jié)所述激光光束的光斑尺寸;
對(duì)調(diào)節(jié)后的激光光束進(jìn)行聚焦;
將聚焦后的激光光束以不同功率對(duì)所述光學(xué)薄膜參考樣品進(jìn)行掃描,獲得所述激光功率與所述光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜強(qiáng)化方法,其特征在于,所述激光光束的脈沖寬度為10-500μs可調(diào),所述激光光束的輸出功率0-50W可調(diào)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)薄膜強(qiáng)化方法,其特征在于,根據(jù)所述激光功率與所述光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系,獲得500K~2000K內(nèi)不同溫度對(duì)應(yīng)的激光功率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)薄膜強(qiáng)化方法,其特征在于,獲得所述激光功率與所述光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系的步驟包括:
調(diào)節(jié)所述激光光束的激光脈沖至單發(fā)模式;
調(diào)節(jié)所述激光光束的輸出功率;
測(cè)得在對(duì)應(yīng)的輸出功率下所述激光光束作用于所述光學(xué)薄膜參考樣品表面的溫度,從而得到所述激光功率與所述光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光學(xué)薄膜強(qiáng)化方法,其特征在于,測(cè)得在對(duì)應(yīng)的輸出功率下所述激光光束作用于所述光學(xué)薄膜參考樣品表面的溫度的步驟包括:
測(cè)得所述激光脈沖的下降沿信號(hào);
根據(jù)所述下降沿信號(hào)測(cè)得所述激光脈沖作用點(diǎn)結(jié)束時(shí)刻的輻射光譜;
根據(jù)所述輻射光譜擬合獲得所述激光光束作用于所述光學(xué)薄膜參考樣品表面的溫度。
6.一種激光強(qiáng)化裝置,其特征在于,所述激光強(qiáng)化裝置用于對(duì)待處理的光學(xué)薄膜進(jìn)行強(qiáng)化,所述待處理的光學(xué)薄膜通過(guò)原子沉積法制備;
所述激光強(qiáng)化裝置預(yù)存有激光功率與光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系;
所述激光強(qiáng)化裝置包括激光器,所述激光器用于輸出激光光束并對(duì)待處理的光學(xué)薄膜以第一預(yù)設(shè)溫度對(duì)應(yīng)的第一功率進(jìn)行激光掃描,且以第二預(yù)設(shè)溫度對(duì)應(yīng)的第二功率對(duì)掃描過(guò)后的光學(xué)薄膜進(jìn)行二次激光掃描;
其中,所述第一預(yù)設(shè)溫度高于所述第二預(yù)設(shè)溫度;
所述裝置還包括聲光調(diào)制器、光束整形部件、掃描振鏡和透鏡;
所述聲光調(diào)制器用于調(diào)節(jié)所述激光光束的占空比、脈沖寬度和輸出功率;
所述光束整形部件用于調(diào)節(jié)所述激光光束的光斑尺寸;
所述透鏡和所述掃描振鏡用于對(duì)調(diào)節(jié)后的激光光束進(jìn)行聚焦,并通過(guò)聚焦后的激光光束對(duì)所述待處理的光學(xué)薄膜進(jìn)行激光掃描,以獲得所述激光功率與所述光學(xué)薄膜參考樣品表面溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光強(qiáng)化裝置,其特征在于,所述裝置還包括光譜儀、增強(qiáng)電荷耦合器件和光電探測(cè)器;所述光電探測(cè)器與所述增強(qiáng)電荷耦合器件連接,所述光譜儀與所述增強(qiáng)電荷耦合器件連接;
所述光電探測(cè)器用于測(cè)得所述激光光束的激光脈沖的下降沿信號(hào),并將信號(hào)傳遞至所述增強(qiáng)電荷耦合器件;
所述增強(qiáng)電荷耦合器件用于觸發(fā)所述光譜儀,以使所述光譜儀測(cè)得所述激光脈沖作用點(diǎn)結(jié)束時(shí)刻的輻射光譜;
所述光譜儀用于根據(jù)所述輻射光譜擬合獲得所述激光光束作用于所述光學(xué)薄膜參考樣品表面的溫度。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的激光強(qiáng)化裝置,其特征在于,所述激光強(qiáng)化裝置還包括工作臺(tái);所述工作臺(tái)用于盛放待處理的光學(xué)薄膜,所述激光器用于對(duì)盛放于所述工作臺(tái)的所述待處理的光學(xué)薄膜進(jìn)行激光掃描。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心,未經(jīng)中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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