[發(fā)明專利]一種高精密硅基通孔掩膜版分體圖形結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811047914.8 | 申請日: | 2018-09-10 |
| 公開(公告)號: | CN109188858B | 公開(公告)日: | 2020-05-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 包文中;郭曉嬌;周鵬;張衛(wèi) | 申請(專利權(quán))人: | 復(fù)旦大學(xué) |
| 主分類號: | G03F1/80 | 分類號: | G03F1/80;G03F1/76;C23C14/24;C23C14/04 |
| 代理公司: | 上海正旦專利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陸飛;陸尤 |
| 地址: | 200433 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 精密 硅基通孔掩膜版 分體 圖形 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種高精密硅基通孔掩膜版分體圖形結(jié)構(gòu),其特征在于,以雙面拋光的硅片為基底,包括正面圖形和反面圖形;正面圖形包括從整體圖形中分離的帶有對準(zhǔn)標(biāo)記的高精度圖形和帶有對準(zhǔn)標(biāo)記的低精度圖形,或者為分別帶有對準(zhǔn)標(biāo)記多組不同精度的圖形;反面圖形為能覆蓋正面圖形的正方形、長方形、圓形、橢圓形或不規(guī)則的圖形,用于整體厚度減薄;通孔掩膜板在加工過程中,高精度圖形和低精度圖形先后使用,通過兩者相同的對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行位置對準(zhǔn),來完成整體圖形的加工;
所述的正面圖形的形狀為對稱圖形,或者為非對稱圖形,其形狀根據(jù)要求任意設(shè)計;精度達(dá)到的硅通孔的最高精度尺寸;
所述的反面圖形與正面圖形中心重合;在正面圖形設(shè)計時,從整體圖形分離出高精度圖形和低精度圖形,將這兩類圖形分成兩組分立的圖形,其圖形分別包含對準(zhǔn)標(biāo)記,用于圖形組合時的對準(zhǔn);或者,視掩膜版材料強(qiáng)度和圖形復(fù)雜度的不同,分離出的圖形為兩組或者兩組以上,每部分都含有對準(zhǔn)標(biāo)記,用于最后的組合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高精密硅基通孔掩膜版分體圖形結(jié)構(gòu),其特征在于,分離的圖形為不同精度的規(guī)則或不規(guī)則圖形任意組合成的圖形;或者為閉合環(huán)狀圖形,包括圓環(huán)、方環(huán)、三角形環(huán)或其他無規(guī)則閉合拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備





