[發(fā)明專利]一種AMOLED面板在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811046313.5 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN109087937A | 公開(公告)日: | 2018-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周志偉;崔昇圭 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 44238 | 代理人: | 熊賢卿;潘中毅 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 無機絕緣層 邊緣區(qū)域 第一層 介質(zhì)層 裂紋擴(kuò)展 沉積圖案 封裝薄膜 金屬沉積 有機物 緩沖層 切割線 無機膜 襯底 畫質(zhì) 彎折 圖案 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種AMOLED面板,在其切割線與封裝薄膜邊界之間具有邊緣區(qū)域,所述邊緣區(qū)域從下至上依次包括:柔性襯底、緩沖層、第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層;所述AMOLED面板的邊緣區(qū)域具有防止無機膜裂紋擴(kuò)展的結(jié)構(gòu),包括:至少一列設(shè)置于所述第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層中的有機物沉積圖案;至少一列設(shè)置有所述第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層至少一層中的金屬沉積圖案。實施本發(fā)明實施例,可以改善彎折過程中因裂紋擴(kuò)展引起畫質(zhì)異常等問題。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域,特別涉及一種AMOLED面板。
背景技術(shù)
在AMOLED (Active-matrix organic light emitting diode,主動矩陣有機發(fā)光二極體)面板的生產(chǎn)中,通常是將大板通過激光切割形成需要尺寸規(guī)格的小板。一方面,由于面板邊緣的無機膜層在切割時會引起肉眼不可見的微裂紋,另一方面,因晶格在最邊緣位置突然終止而形成大量懸掛鍵與缺陷,因此,邊緣不穩(wěn)定區(qū)域通常會成為裂紋的起始位置。當(dāng)AMOLED面板在使用過程中進(jìn)行彎折時,存在于無機薄膜中的本征應(yīng)力以及來自薄膜對襯底的附著力等非本征應(yīng)力會不斷促使微裂紋的進(jìn)一步擴(kuò)展,在數(shù)以萬計的重復(fù)彎折下,當(dāng)具有本征脆性及較多缺陷態(tài)的無機封裝薄膜發(fā)生脆裂時,大氣中的水與氧氣便會入侵。水氧的入侵不僅會與發(fā)光層有機物發(fā)生氧化作用而生成羰基化合物,也會與OLED器件的陰極材料當(dāng)中的堿金屬或堿土金屬發(fā)生電化學(xué)腐蝕,在顯著降低發(fā)光量子效率的同時,也會因發(fā)光材料變質(zhì)而形成大量黑點缺點,極大影響器件壽命。
如圖1所示,示出了現(xiàn)有的一種AMOLED面板平面結(jié)構(gòu)示意圖;從中可以看出,所述AMOLED面板依次排布有切割線區(qū)1’、面板邊緣區(qū)3’、封裝薄膜邊緣區(qū)2’、GOA驅(qū)動電路及布線區(qū)4’以及顯示區(qū)5’。在面板經(jīng)過多次彎折后,切割區(qū)的裂紋會向GOA驅(qū)動電路及布線區(qū)4’以及顯示區(qū)5’擴(kuò)展。一并參見圖2中的剖面圖,在AMOLED面板的面板邊緣區(qū)3’,從下至上依次排布有柔性襯底30’、緩沖層31’、第一無機絕緣層32’、第二無機絕緣層33’以及第一層間介質(zhì)層34’;為了減緩裂紋向板內(nèi)擴(kuò)展,可以在面板切割線邊緣位置設(shè)計一道阻擋結(jié)構(gòu)6’,但是,該種僅存在一些不足之處,即僅設(shè)置該阻擋結(jié)構(gòu)6’難以防止不同頻率、成千上萬次彎折所帶來的微裂紋的迅速擴(kuò)展,另一方面,由于該阻擋結(jié)構(gòu)6’距離切割線位置過近,極易因過切而引起該阻擋結(jié)構(gòu)6’的破壞而徹底失去裂紋防止的作用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種AMOLED面板,其中設(shè)置有防止無機膜裂紋擴(kuò)展的結(jié)構(gòu),通過在AMOLED面板邊緣區(qū)域中集成不同的圖形化結(jié)構(gòu),改善彎折過程中因裂紋擴(kuò)展引起畫質(zhì)異常等問題,最終實現(xiàn)目標(biāo)次數(shù)下動態(tài)彎折的正常顯示。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的實施例的一方面提供一種AMOLED面板,在其切割線與封裝薄膜邊界之間具有邊緣區(qū)域,所述邊緣區(qū)域從下至上依次包括:柔性襯底、緩沖層、第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層;其特征在于,在所述邊緣區(qū)域中設(shè)置有一防止無機膜裂紋擴(kuò)展的結(jié)構(gòu),所述結(jié)構(gòu)包括:
至少一列設(shè)置于所述第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層中的有機物沉積圖案;
至少一列設(shè)置有所述第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層至少一層中的金屬沉積圖案。
其中,所述有機物沉積圖案靠近所述切割線一側(cè),所述金屬沉積圖案靠近所述封裝薄膜一側(cè)。
其中,在所述有機物沉積圖案之上進(jìn)一步設(shè)置有第二層間介質(zhì)層,所述第二層間介質(zhì)層覆蓋所有有機物沉積圖案。
其中,所述每一列有機物沉積圖案均與所述切割線平行,其包括多個貫通所述第一無機絕緣層、第二無機絕緣層以及第一層間介質(zhì)層的沉積孔,在所述沉積孔中填充有有機物;
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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