[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法和半導(dǎo)體器件

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811046234.4
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN110890368A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108;H01L21/8242
• 代理公司: 北京市鑄成律師事務(wù)所 11313
• 代理人: 張臻賢;王珺

本發(fā)明實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體器件的制備方法和半導(dǎo)體器件。方法包括：提供具有多個(gè)有源區(qū)的襯底，有源區(qū)包括源漏極區(qū)，位線接觸區(qū)，字線段和字線絕緣結(jié)構(gòu)；在源漏極區(qū)上形成保護(hù)層，且保護(hù)層覆蓋字線絕緣結(jié)構(gòu)并具有在位線接觸區(qū)上形成的接觸通道，接觸通道連通到位線接觸區(qū)；形成緩沖材料層，覆蓋保護(hù)層以及接觸通道的側(cè)壁；刻蝕緩沖材料層，保留緩沖材料層位于接觸通道的側(cè)壁的部分，以形成緩沖層，緩沖層再定義接觸通道的寬度；在保護(hù)層上及接觸通道內(nèi)形成位線材料層，位線材料層還覆蓋緩沖層；圖案化位線材料層，以在所述接觸通道之上形成高于保護(hù)層的位線層，位線層還具有一體形成在接觸通道內(nèi)的位線接觸部。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制備方法和使用該制備方法制備出的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

在動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中，包括多個(gè)存儲(chǔ)單元，其中，每個(gè)存儲(chǔ)單元包含一個(gè)MOS晶體管和一個(gè)存儲(chǔ)電容，MOS晶體管是金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semi-conductor Field Effect Transistor)的簡稱。MOS晶體管通過與漏極連接的位線接觸(Bit Line Contact)對存儲(chǔ)電容進(jìn)行充放電過程，所以位線接觸的阻值大小影響著存儲(chǔ)電容充放電的速度。目前的位線由多晶硅層和金屬層形成。包括多晶硅層和金屬層的位線，阻值較大，導(dǎo)致流過位線的電流較小，進(jìn)而導(dǎo)致對存儲(chǔ)電容的充放電速度較慢。

因此，如何降低位線的接觸電阻，是本領(lǐng)域技術(shù)人員急需要解決的技術(shù)問題。

在背景技術(shù)中公開的上述信息僅用于加強(qiáng)對本發(fā)明的背景的理解，因此其可能包含沒有形成為本領(lǐng)域普通技術(shù)人員所知曉的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法和使用該制備方法制備出的半導(dǎo)體器件，以至少解決背景技術(shù)中存在的技術(shù)問題。

本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括如下步驟：

提供具有多個(gè)有源區(qū)的襯底，所述有源區(qū)包括源漏極區(qū)和在所述源漏極區(qū)之間的位線接觸區(qū)，所述有源區(qū)在所述源漏極區(qū)和所述位線接觸區(qū)之間設(shè)置字線段和掩埋所述字線段的字線絕緣結(jié)構(gòu)，所述位線接觸區(qū)相對凹陷于所述源漏極區(qū)；

在所述源漏極區(qū)上形成保護(hù)層，且所述保護(hù)層覆蓋所述字線絕緣結(jié)構(gòu)并具有在所述位線接觸區(qū)上形成的接觸通道，所述接觸通道連通到所述位線接觸區(qū)；

在所述接觸通道內(nèi)形成緩沖材料層，所述緩沖材料層覆蓋所述保護(hù)層以及所述接觸通道；

刻蝕所述緩沖材料層，包括去除所述緩沖材料層位于所述保護(hù)層上的部分以及位于所述接觸通道底部的部分，而保留所述緩沖材料層位于所述接觸通道的側(cè)壁的部分，以形成緩沖層，所述緩沖層再定義所述接觸通道的寬度；

在所述保護(hù)層上及所述接觸通道內(nèi)形成位線材料層，所述位線材料層還覆蓋所述緩沖層；

圖案化所述位線材料層，以在所述接觸通道之上形成高于所述保護(hù)層的位線層，所述位線層還具有一體形成在所述接觸通道內(nèi)的位線接觸部。

本發(fā)明實(shí)施例還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

具有多個(gè)有源區(qū)的襯底，所述有源區(qū)包括源漏極區(qū)和在所述源漏極區(qū)之間的位線接觸區(qū)，所述有源區(qū)在所述源漏極區(qū)和所述位線接觸區(qū)之間設(shè)置字線段和掩埋所述字線段的字線絕緣結(jié)構(gòu)，所述位線接觸區(qū)相對凹陷于所述源漏極區(qū)；

保護(hù)層，形成于所述源漏極區(qū)上，且所述保護(hù)層覆蓋所述字線絕緣結(jié)構(gòu)并具有在所述位線接觸區(qū)上形成的接觸通道，所述接觸通道連通到所述位線接觸區(qū)；

緩沖層，位于所述接觸通道的側(cè)壁，所述緩沖層再定義所述接觸通道的寬度；以及