[發明專利]用于直流電弧檢測/抑制的方法和設備

在審

• 申請號: 201811045692.6
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN110346694A
• 公開（公告）日: 2019-10-18
• 發明（設計）人: 吳媛媛
• 申請（專利權）人: 矢崎（北美）投資有限公司
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12;H02H9/04
• 代理公司: 北京奉思知識產權代理有限公司 11464
• 代理人: 吳立;鄒軼鮫

1.一種用于檢測并抑制器件的直流電弧的設備，所述器件將電源連接至負載，并且所述器件被配置為能夠在阻斷電力流動的斷開位置與使電力流動的閉合位置之間操作，所述設備包括：

輸入端子，該輸入端子電連接至所述器件的電源側；

輸出端子，該輸出端子電連接至所述器件的負載側；

檢測器電路，該檢測器電路電連接至所述輸入端子和所述輸出端子，從而與所述器件并聯電連接，所述檢測器電路被配置為，當所述器件在所述斷開位置與所述閉合位置之間操作時，檢測在所述器件兩端的顯著電壓尖峰；所述檢測器電路還被配置為，在檢測到所述顯著電壓尖峰時發送控制信號，所述檢測器電路包括彼此直接電連接的多個電路元件，該多個電路元件進行所述顯著電壓尖峰的檢測和所述控制信號的發送這二者；以及

開關電路，該開關電路在接收到所述控制信號時，從所述器件的所述電源側向所述器件的所述負載側導通電力。

2.根據權利要求1所述的設備，其中，所述顯著電壓尖峰構成足以在所述器件內引起電弧的電壓。

3.根據權利要求1所述的設備，其中，所述檢測器電路包括直接電連接至所述輸入端子的電容器。

4.根據權利要求3所述的設備，其中，所述檢測器電路包括在所述輸入端子的相對側直接電連接至所述電容器的電阻器，所述電阻器還直接電連接至所述輸出端子。

5.根據權利要求4所述的設備，其中，所述電阻器提供至少10KΩ的阻抗。

6.根據權利要求4所述的設備，其中，所述檢測器電路包括在所述輸入端子的所述相對側直接電連接至所述電容器的二極管。

7.根據權利要求6所述的設備，其中，所述檢測器電路包括直接電連接至所述二極管的齊納二極管。

8.根據權利要求7所述的設備，其中，所述檢測器電路包括在所述二極管的相對側直接電連接至所述齊納二極管的另一電阻器，所述另一電阻器直接電連接至所述輸出端子，使得所述電阻器與所述齊納二極管相對于彼此并聯。

9.根據權利要求8所述的設備，其中，所述另一電阻器提供比所述電阻器所提供的阻抗顯著小的阻抗。

10.根據權利要求8所述的設備，其中，所述開關電路包括固態可觸發開關，該固態可觸發開關被配置為，接收來自所述檢測器電路的所述控制信號，并且當接收到所述控制信號時，從所述輸入端子向所述輸出端子導通電力。

11.根據權利要求10所述的設備，其中，所述固態可觸發開關是場效應晶體管FET。

12.根據權利要求10所述的設備，其中，所述開關電路包括將所述固態可觸發開關電連接至所述輸入端子的二極管，所述二極管被配置為限制所述輸入端子與所述固態可觸發開關之間的電流。

13.根據權利要求10所述的設備，其中，所述固態可觸發開關是可控硅整流器。

14.根據權利要求10所述的設備，其中，所述固態可觸發開關是光電開關。