[發明專利]集成于芯片的天線結構及制作工藝有效

申請號：	201811045317.1	申請日：	2018-09-07
公開（公告）號：	CN110890620B	公開（公告）日：	2021-08-03
發明（設計）人：	陸曉青	申請（專利權）人：	杭州潮盛科技有限公司
主分類號：	H01Q1/36	分類號：	H01Q1/36;H01Q1/22
代理公司：	杭州裕陽聯合專利代理有限公司 33289	代理人：	姚宇吉
地址：	311500 浙江省杭州市桐廬縣***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	集成芯片天線結構制作工藝
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【說明書】：

本發明公開了一種集成于芯片的天線結構及制造方法，基底上設有氧化銦錫層，所述氧化銦錫層上設有具有溝道圖形的三氧化二鋁層，所述三氧化二鋁層的表面設有鋁層，所述鋁層包括中間段、第一測試部和第二測試部，所述第一測試部設有開孔，所述中間段和所述第二測試部上設有絕緣層，所述絕緣層設有通孔，所述通孔底部延伸至三氧化二鋁層表面；還包括天線線圈，所述天線線圈包括起始端、線圈、跨接端和測試點，所述起始端設置在所述第一測試部的開孔內，所述線圈設置在所述基底上，所述跨接端設置在所述絕緣層的通孔處并延伸至三氧化二鋁層表面，所述測試點設置在所述基底上。本發明將天線線圈和傳統的芯片進行跨接，可以實現將天線線圈集成在芯片上。

技術領域

本發明涉及半導體領域，尤其涉及了一種集成于芯片的天線結構及制作工藝。

背景技術

目前，天線的普遍制作工藝有印刷天線、刻蝕天線和電鍍天線，但是，這種天線在和芯片連接使用時，需要添加引線將天線和芯片進行連接。

發明內容

本發明針對現有技術中的缺點，提供了一種集成于芯片的天線結構及制作工藝。

為了解決上述技術問題，本發明通過下述技術方案得以解決：

一種集成于芯片的天線結構，包括：基底，所述基底上設有氧化銦錫層，所述氧化銦錫層上設有具有溝道圖形的三氧化二鋁層，所述三氧化二鋁層的表面設有鋁層，所述鋁層覆蓋在所述三氧化二鋁層上并填充所述溝道圖形內直至填充到所述氧化銦錫層的表面，所述鋁層包括中間段、第一測試部和第二測試部，所述第一測試部設有開孔，所述中間段和所述第二測試部上設有絕緣層，所述絕緣層設有通孔，所述通孔底部延伸至三氧化二鋁層表面；

還包括天線線圈，所述天線線圈包括起始端、線圈、跨接端和測試點，所述起始端設置在所述第一測試部的開孔內，所述線圈為螺旋形狀并設置在所述基底上，所述線圈橫跨于所述絕緣層上，所述跨接端設置在所述絕緣層的通孔處并延伸至三氧化二鋁層表面，所述測試點設置在所述基底上。

作為一種可實施方式，所述基底為硅基板或玻璃基板。

作為一種可實施方式，所述氧化銦錫層的厚度小于或等于200nm。

作為一種可實施方式，所述天線線圈為鋁制天線線圈。

作為一種可實施方式，所述鋁層的厚度小于或等于1um。

一種集成于芯片的天線制作工藝，包括以下步驟：

對基底進行氧化銦錫濺射，形成氧化銦錫層；

在氧化銦錫層形成三氧化二鋁層，并對三氧化二鋁層進行刻蝕，形成具有溝道圖形的三氧化二鋁層；

在三氧化二鋁層上濺射出鋁層，所述鋁層覆蓋在所述三氧化二鋁層上并填充所述溝道圖形內直至填充到所述氧化銦錫層的表面，所述鋁層具有中間段、第一測試部和第二測試部，所述第一測試部設置在所述三氧化二鋁層上；

在鋁層的中間段和第二測試部表面形成具有通孔的絕緣層；

布制天線線圈，所述天線線圈包括起始端、線圈、跨接端和測試點，所述起始端設置在所述第一測試部的開孔內，所述線圈為螺旋形狀并設置在所述基底上，所述線圈橫跨于所述絕緣層上，所述跨接端設置在所述絕緣層的通孔處并延伸至三氧化二鋁層表面，將所述測試點設置在所述基底上，形成集成于芯片的天線。

作為一種可實施方式，所述基底為硅基板或玻璃基板。