[發(fā)明專利]一種磁存儲(chǔ)器及其寫(xiě)狀態(tài)檢測(cè)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811045302.5
• 申請(qǐng)日: 2018-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110890116B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-09-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 戴瑾;葉力;夏文斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海磁宇信息科技有限公司
• 主分類號(hào): G11C11/16
• 分類號(hào): G11C11/16
• 代理公司: 上海容慧專利代理事務(wù)所(普通合伙) 31287
• 代理人: 于曉菁

1.一種磁存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

高阻態(tài)寫(xiě)參考單元，其用于提供判斷存儲(chǔ)單元是否處于高阻態(tài)的參考電信號(hào)；

低阻態(tài)寫(xiě)參考單元，其用于提供判斷存儲(chǔ)單元是否處于低阻態(tài)的參考電信號(hào)；寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元，用于接收所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元和所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元的輸出信號(hào)以及存儲(chǔ)單元寫(xiě)入回路中的相應(yīng)檢測(cè)信號(hào)；當(dāng)對(duì)儲(chǔ)存單元進(jìn)行置為高阻態(tài)的寫(xiě)入操作時(shí)，所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元將存儲(chǔ)單元的檢測(cè)信號(hào)與所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元提供的信號(hào)進(jìn)行比較并判定，當(dāng)判定存儲(chǔ)單元已處于高阻態(tài)時(shí)，所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元發(fā)出終止寫(xiě)操作信號(hào)；當(dāng)對(duì)儲(chǔ)存單元進(jìn)行置為低阻態(tài)的寫(xiě)入操作時(shí)，所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元將存儲(chǔ)單元的檢測(cè)信號(hào)與所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元提供的信號(hào)進(jìn)行比較并判定，當(dāng)判定存儲(chǔ)單元已處于低阻態(tài)時(shí)，所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元發(fā)出終止寫(xiě)操作信號(hào)，其中，還包括高阻態(tài)電位調(diào)整電路，等效地將所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元的電阻調(diào)低；低阻態(tài)電位調(diào)整電路，等效地將所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元的電阻調(diào)高；所述低阻態(tài)電位調(diào)整電路包括第一運(yùn)算放大器、第一恒流源、第二恒流源和第一可調(diào)電阻，需調(diào)整的信號(hào)由所述第一運(yùn)算放大器的同向輸入端輸入，由所述第一運(yùn)算放大器的輸出端輸出；所述第一可調(diào)電阻兩端分別接所述第一運(yùn)算放大器的反向輸入端和所述第一運(yùn)算放大器的輸出端；所述第一恒流源一端接地、另一端接所述第一運(yùn)算放大器的反向輸入端，所述第二恒流源一端接所述第一運(yùn)算放大器的輸出端。

2.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器，其特征在于，所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元包括一個(gè)預(yù)先設(shè)置為高阻態(tài)的存儲(chǔ)單元，或者多個(gè)并聯(lián)的預(yù)先設(shè)置為高阻態(tài)的存儲(chǔ)單元；所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元包括一個(gè)預(yù)先設(shè)置為低阻態(tài)的存儲(chǔ)單元，或者多個(gè)并聯(lián)的預(yù)先設(shè)置為低阻態(tài)的存儲(chǔ)單元；在寫(xiě)入回路設(shè)置檢測(cè)點(diǎn)產(chǎn)生輸出信號(hào)；所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元對(duì)存儲(chǔ)單元寫(xiě)電路的相應(yīng)檢測(cè)點(diǎn)的信號(hào)與上述輸出信號(hào)進(jìn)行比較。

3.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括：

高阻態(tài)參考信號(hào)存儲(chǔ)電容，其用于存儲(chǔ)所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元輸出的參考電信號(hào)；所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元使用所述高阻態(tài)參考信號(hào)存儲(chǔ)電容取代所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元進(jìn)行檢測(cè)；

低阻態(tài)參考信號(hào)存儲(chǔ)電容，其用于存儲(chǔ)所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元輸出的參考電信號(hào)；所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元使用所述低阻態(tài)參考信號(hào)存儲(chǔ)電容取代所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元進(jìn)行檢測(cè)。

4.如權(quán)利要求3所述的磁存儲(chǔ)器，其特征在于，還包括參考刷新控制器，定期刷新所述高阻態(tài)參考信號(hào)存儲(chǔ)電容和所述低阻態(tài)參考信號(hào)存儲(chǔ)電容。

5.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器，其特征在于，將所述磁存儲(chǔ)器中的讀參考單元復(fù)用為所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元和所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元。

6.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器，其特征在于，所述寫(xiě)入狀態(tài)檢測(cè)單元包括：

參考信號(hào)選擇器，用于接收所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元和所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元的輸出信號(hào)，并根據(jù)存儲(chǔ)單元寫(xiě)入操作的類型，選擇輸出所述高阻態(tài)寫(xiě)參考單元或所述低阻態(tài)寫(xiě)參考單元提供的信號(hào)；

比較器，用于接收所述參考信號(hào)選擇器的輸出信號(hào)和存儲(chǔ)單元寫(xiě)入回路中的檢測(cè)點(diǎn)信號(hào)進(jìn)行比較并輸出相應(yīng)信號(hào)；

終止寫(xiě)操作控制器，用于與所述比較器連接，根據(jù)所述比較器的輸出信號(hào)，生成相應(yīng)的控制信號(hào)提供給用于控制寫(xiě)操作的模塊，以實(shí)現(xiàn)對(duì)當(dāng)前存儲(chǔ)單元寫(xiě)操作的終止或繼續(xù)。

7.如權(quán)利要求1所述的磁存儲(chǔ)器，其特征在于，所述高阻態(tài)電位調(diào)整電路包括第二運(yùn)算放大器、第三恒流源、第四恒流源和第二可調(diào)電阻，需調(diào)整的信號(hào)由所述第二運(yùn)算放大器的同向輸入端輸入，由所述第二運(yùn)算放大器的輸出端輸出；所述第二可調(diào)電阻兩端分別接所述第二運(yùn)算放大器的反向輸入端和所述第二運(yùn)算放大器的輸出端；所述第三恒流源一端接地、另一端接所述第二運(yùn)算放大器的輸出端，所述第四恒流源一端接所述第二運(yùn)算放大器的反向輸入端。