[發明專利]一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法在審
| 申請號： | 201811045291.0 | 申請日： | 2018-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN110890458A | 公開（公告）日： | 2020-03-17 |
| 發明（設計）人： | 葉力;戴瑾 | 申請（專利權）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L43/08 | 分類號： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧專利代理事務所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于曉菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 提高 磁性 隨機 存儲器 寫入 效率 方法 | ||
1.一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述磁性隨機存儲器包括控制電路和存儲單元陣列，所述存儲單元由磁性隧道結和NMOS場效應管組成，所述存儲單元通過字線、位線以及源線與所述控制電路連接；所述位線包含磁性層。
2.根據權利要求1所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述磁性層選用3d過渡族磁性合金材料。
3.根據權利要求1所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述位線還包括導電金屬層。
4.根據權利要求1所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述位線和所述源線平行或垂直。
5.根據權利要求1所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述位線的磁化方向平行于位線的走線方向，并且垂直于所述磁性隧道結中的記憶層的磁矩。
6.根據權利要求1所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，制作所述磁性隨機存儲器至少包括如下步驟：
步驟一、在基底上制作所述磁性隧道結；
步驟二、在所述磁性隧道結周圍沉積保護層；
步驟三、在所述保護層上填充電介質層；
步驟四、在所述電介質層中刻蝕產生位線線槽；
步驟五、在所述位線線槽內填充永久磁化材料，制作所述磁性層；
步驟六：在所述位線線槽內填充導電金屬；
步驟七、磨平所述導電金屬的表面，所述位線制作完成。
7.根據權利要求6所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述導電金屬選用銅、鋁、銅鋁合金或鎢。
8.根據權利要求6所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，通過外加磁場初始化設置所述磁性層的磁矩方向。
9.根據權利要求6所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，在所述位線和所述磁性隧道結的記憶層之間設置非磁性隔離層，所述隔離層厚度應處于自旋平均自由程內。
10.根據權利要求9所述的一種提高磁性隨機存儲器寫入效率的方法，其特征在于，所述隔離層選用鋁、銅或鎢。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海磁宇信息科技有限公司，未經上海磁宇信息科技有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201811045291.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：車載設備程序的遠程更新方法、裝置和系統
- 下一篇：一種量子點的配體交換方法
