[發(fā)明專利]一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811045206.0
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109055917B
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 訾威;陸曉曼;耿曉菊;劉江峰;涂友超
• 申請（專利權(quán)）人: 信陽師范學(xué)院
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513;C23C16/52
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200
• 代理人: 徐文權(quán)

1.一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，包括腔室(2-5)和電極切換裝置(2-7)；腔室(2-5)內(nèi)的上部設(shè)置有穿出腔室(2-5)上表面的上電極(2-1)，腔室(2-5)內(nèi)的下部設(shè)置有穿出腔室(2-5)下表面的下電極(2-2)；電極切換裝置(2-7)內(nèi)設(shè)置有上電極接觸頭(2-10)、射頻電源線接觸頭(2-11)、下電極接觸頭(2-12)和接地接觸頭(2-13)；上電極接觸頭(2-10)和上電極(2-1)連通，下電極接觸頭(2-12)和下電極(2-2)連接；射頻電源線接觸頭(2-11)連通有射頻電源(2-8)，接地接觸頭(2-13)接地(2-9)；

在腔室(2-5)內(nèi)的沉積樣品(2-3)鍍膜過程中，電極切換裝置(2-7)內(nèi)的上電極接觸頭(2-10)和射頻電源線接觸頭(2-11)連通時，下電極接觸頭(2-12)和接地接觸頭(2-13)連通，沉積樣品(2-3)的上表面鍍膜；電極切換裝置(2-7)內(nèi)的下電極接觸頭(2-12)和射頻電源線接觸頭(2-11)連通時，上電極接觸頭(2-10)和接地接觸頭(2-13)連通，沉積樣品(2-3)的下表面鍍膜；

上電極(2-1)和上電極接觸頭(2-10)通過射頻線(2-6)連通；下電極(2-2)和下電極接觸頭(2-12)通過射頻線(2-6)連通；

上電極接觸頭(2-10)、射頻電源線接觸頭(2-11)、下電極接觸頭(2-12)和接地接觸頭(2-13)均通過公母插頭結(jié)構(gòu)連通。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，上電極接觸頭(2-10)、射頻電源線接觸頭(2-11)、下電極接觸頭(2-12)和接地接觸頭(2-13)均為導(dǎo)電材料。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，導(dǎo)電材料選用銅、銀或金。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，上電極接觸頭(2-10)和下電極接觸頭(2-12)固定安裝有公頭結(jié)構(gòu)；射頻電源線接觸頭(2-11)和接地接觸頭(2-13)固定安裝有母頭結(jié)構(gòu)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，公母插頭通過手動的方式連通。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任意一項所述的一種單室雙面鍍膜等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)，其特征在于，上電極(2-1)和下電極(2-2)為對稱結(jié)構(gòu)，電極的結(jié)構(gòu)和材料均相同。