[發明專利]一種量子點發光二極管在審
| 申請號: | 201811044363.X | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN110890467A | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | 覃輝軍 | 申請(專利權)人: | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉文求 |
| 地址: | 516006 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 量子 發光二極管 | ||
1.一種量子點發光二極管,包括:陽極、陰極及設置在所述陽極和陰極之間的疊層、所述疊層包括層疊設置的量子點發光層和電子傳輸層,所述量子點發光層靠近所述陽極一側設置,所述電子傳輸層靠近所述陰極一側設置,其特征在于,所述電子傳輸層包括至少一層第一電子傳輸層,所述第一電子傳輸層材料包括:顆粒、結合在所述顆粒表面的鹵素配體和油溶性有機配體,所述顆粒為無機半導體納米晶。
2.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述無機半導體納米晶的粒徑為2-7nm。
3.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述無機半導體納米晶在可見波段無發射。
4.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述無機半導體納米晶為金屬氧化物顆粒,所述金屬氧化物顆粒選自ZnO顆粒、CdO顆粒、SnO顆粒或GeO顆粒;或者,
所述無機半導體納米晶為金屬硫化物顆粒,所述金屬氧化物顆粒選自ZnS顆粒、SnS顆粒或GeS顆粒。
5.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述鹵素配體選自氯離子、溴離子和碘離子中的一種或多種。
6.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述油溶性有機配體選自碳原子數大于等于8的直鏈有機配體、支鏈碳原子數大于等于4的仲胺或叔胺、取代或未取代的烷胺基膦、取代或未取代的烷氧基膦、取代或未取代的硅烷基膦和支鏈碳原子數大于等于4的烷基膦中的一種或多種。
7.根據權利要求6所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述碳原子數大于等于8的直鏈有機配體選自碳原子數大于等于8的有機羧酸、碳原子數大于等于8的硫醇、碳原子數大于等于8的有機磷酸和碳原子數大于等于8的伯胺中的一種或多種。
8.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述油溶性有機配體為碳原子數大于等于8的硫醇、碳原子數大于等于8的有機磷酸和取代或未取代的烷胺基膦中的多種。
9.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述油溶性有機配體為取代或未取代的烷胺基膦,所述顆粒為金屬硫化物顆粒;
或者,所述油溶性有機配體為碳原子數大于等于8的有機磷酸,所述顆粒為金屬氧化物顆粒;
或者,所述油溶性有機配體為碳原子數大于等于8的硫醇,所述顆粒為金屬硫化物顆粒;
或者,所述無機半導體納米晶中含有金屬摻雜元素。
10.根據權利要求9所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述金屬摻雜元素選自Mg、Mn、Al、Y、V和Ni中的一種或多種;
或者,所述無機半導體納米晶選自ZnO顆粒、ZnS顆粒或SnO顆粒。
11.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,當所述電子傳輸層為一層第一電子傳輸層時,所述量子點發光層的材料為水溶性量子點。
12.根據權利要求1所述的量子點發光二極管,其特征在于,所述電子傳輸層還包括至少一層第二電子傳輸層,所述第二電子傳輸層材料為水溶性電子傳輸材料。
13.根據權利要求12所述的量子點發光二極管,其特征在于,當所述量子點發光層的材料為水溶性量子點時,其中,所述第一層第一電子傳輸層疊設在所述量子點發光層上,第一層第二電子傳輸層疊設在所述第一層第一電子傳輸層上,在后的每一電子傳輸層疊設在每一在前的不同種類的電子傳輸層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





