[發(fā)明專利]可實(shí)現(xiàn)循環(huán)定時(shí)測(cè)試的電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811044038.3
• 申請(qǐng)日: 2018-09-07
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109188036B
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 葉常青;馮健
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳欣旺達(dá)智能科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R1/30
• 分類號(hào): G01R1/30
• 代理公司: 深圳市明日今典知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44343
• 代理人: 王杰輝

本發(fā)明涉及一種可實(shí)現(xiàn)循環(huán)定時(shí)測(cè)試的電路，用于與待測(cè)元件和外部電源構(gòu)成的電路串聯(lián)，構(gòu)成測(cè)試待測(cè)元件在設(shè)定電壓時(shí)可用性的電路，包括：電源模塊和控制電路模塊；電源模塊包括供電機(jī)構(gòu)，供電機(jī)構(gòu)用于給控制電路模塊提供電源；控制電路模塊包括控制電路和檢測(cè)電路，檢測(cè)電路包括MOS管電路和待測(cè)元件，MOS管電路與待測(cè)元件的正極相連，待測(cè)元件的負(fù)極與供電機(jī)構(gòu)的負(fù)極相連構(gòu)成回路；控制電路控制通過(guò)供電機(jī)構(gòu)持續(xù)控制MOS管通斷，完成對(duì)待測(cè)元件的可用性測(cè)試；檢測(cè)電路將檢測(cè)信息傳遞給控制電路，控制電路記錄和顯示檢測(cè)信息。本發(fā)明的有益效果：通過(guò)主控IC控制MOS管的通斷進(jìn)而控制檢測(cè)電路的通斷，實(shí)現(xiàn)了對(duì)待測(cè)元件安全的進(jìn)行反復(fù)的測(cè)試。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種測(cè)試方案，尤其涉及一種可實(shí)現(xiàn)循環(huán)定時(shí)測(cè)試的電路。

背景技術(shù)

電子元器件在生產(chǎn)過(guò)程中，會(huì)出現(xiàn)一些次品，這些次品如果不加以測(cè)試直接應(yīng)用于產(chǎn)品，會(huì)造成一定的事故，因此需要對(duì)電子元器件進(jìn)行驗(yàn)證，在驗(yàn)證許多電子元器件時(shí)，測(cè)試某些性能參數(shù)，例如：Breaker的設(shè)定使用電壓、設(shè)定遮短電流、FUSE的斷流測(cè)試、精密電阻的負(fù)載壽命等，往往需要重復(fù)測(cè)試上百甚至上千次，測(cè)試周期長(zhǎng)，且有些要求每次間隔達(dá)到毫秒（ms）級(jí)別。目前這些測(cè)試驗(yàn)證都是通過(guò)手工進(jìn)行的，手法都不規(guī)范，且效率低，無(wú)法滿足測(cè)試要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的為提供一種可實(shí)現(xiàn)循環(huán)測(cè)試的電路，便于安全反復(fù)的對(duì)待測(cè)元件進(jìn)行測(cè)試。

為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提出了如下的技術(shù)方案：

一種可實(shí)現(xiàn)循環(huán)定時(shí)測(cè)試的電路，用于與待測(cè)元件和外部電源構(gòu)成的電路串聯(lián)，構(gòu)成測(cè)試所述待測(cè)元件在設(shè)定電壓時(shí)可用性的電路，其特征在于，包括：電源模塊和控制電路模塊；

所述電源模塊包括供電機(jī)構(gòu)，所述供電機(jī)構(gòu)用于給所述控制電路模塊提供電源；

所述控制電路模塊包括控制電路和檢測(cè)電路，所述控制電路與所述供電機(jī)構(gòu)的正極相連后再與所述檢測(cè)電路連接，所述供電機(jī)構(gòu)受控于所述控制電路；

所述檢測(cè)電路包括MOS管電路，所述MOS管電路包括多個(gè)相同的MOS管支路，多個(gè)所述MOS管支路并聯(lián)連接；所述MOS管支路包括一個(gè)MOS管、第一電阻和第二電阻，所述第一電阻的一端與所述控制電路連接，另一端分別連接第二電阻和所述MOS管的G極，所述第二電阻的另一端連接所述MOS管的S極，所述MOS管的D極與所述待測(cè)元件的正極相連，所述待測(cè)元件的負(fù)極與所述供電機(jī)構(gòu)的負(fù)極相連構(gòu)成回路；

所述控制電路控制通過(guò)所述供電機(jī)構(gòu)持續(xù)控制所述MOS管通斷，所述MOS管每通斷一次，即完成一次對(duì)所述待測(cè)元件的可用性測(cè)試；

所述檢測(cè)電路將檢測(cè)信息傳遞給所述控制電路，所述控制電路記錄和顯示所述檢測(cè)信息。

進(jìn)一步地，所述控制電路包括主控IC，所述主控IC用于控制所述控制電路模塊。

進(jìn)一步地，所述控制電路還包括三極管電路，所述三極管電路包括PNP型三極管和NPN型三極管，所述PNP型三極管與所述NPN型三極管串聯(lián)連接，所述PNP型三極管的b極連接所述主控IC，所述PNP型三級(jí)管的c極與所述NPN型三極管的b極連接，所述NPN型三極管的e極端連接供電機(jī)構(gòu)，所述NPN型三極管的c極連接所述檢測(cè)電路。

進(jìn)一步地，所述控制電路還包括第一MOS管電路，所述第一MOS管電路包括第一MOS管、第三電阻和第四電阻，所述第一MOS管的D極與所述NPN型三極管的c極連接，所述第三電阻與所述主控IC端連接后分別連接第四電阻和所述第一MOS管的G極，所述第四電阻的另一端連接所述第一MOS管的S極和所述MOS管的S極。

進(jìn)一步地，所述控制電路模塊還包括串口，所述串口與所述主控IC連接，所述串口連接終端，所述終端通過(guò)所述串口修改所述主控IC的系統(tǒng)參數(shù)。