[發明專利]充磁機充磁峰值電流測量方法及裝置

有效

• 申請號: 201811043943.7
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109085419B
• 公開（公告）日: 2023-09-29
• 發明（設計）人: 趙昌苗;趙偉國;章濤
• 申請（專利權）人: 諸暨意創磁性技術有限公司
• 主分類號: G01R19/25
• 分類號: G01R19/25;G01R29/02
• 代理公司: 杭州奧創知識產權代理有限公司 33272
• 代理人: 王佳健

1.充磁機充磁峰值電流測量方法，其特征包括：在充磁機與充磁線圈之間的回路上串聯一個電流傳感器，將充磁機中電容放電電流傳入充磁機測量電路，經過電流轉電壓模塊，把電流傳感器的電流轉換成電壓，通過峰值保持電路把電流峰值電壓保存下來，再通過低速AD檢測模塊讀取峰值電壓到單片機進一步處理；另一高速AD檢測模塊讀取電流傳感器電壓，通過CPLD把充磁電流的動態特性暫時存儲在外部RAM系統中，測量完畢后?CPLD系統將存儲于RAM系統的數據傳輸給單片機，單片機對測量的峰值電流的動態特性進行修正，從而計算出峰值電流的大小和寬度。

2.實現權利要求1所述的充磁機充磁峰值電流測量方法的電路，其特征在于：它包括電流傳感器、電流轉電壓模塊、峰值保持電路模塊、低速AD檢測模塊、高速AD檢測模塊、CPLD、RAM模塊和單片機；

電流傳感器接入電流轉電壓模塊輸出對應的電壓信號，連接高速AD檢測模塊；并通過峰值保持電路獲得峰值信號，連接低速AD檢測模塊；高速AD檢測模塊連接CPLD，將采集的動態峰值信息傳輸給CPLD，由CPLD控制RAM模塊進行數據存儲，測量完畢后，通過CPLD將RAM模塊中數據提取出來傳輸給單片機；低速AD檢測模塊連接單片機。