[發明專利]體素衰減效率加權平均的SGS斷層效率刻度方法有效
| 申請號: | 201811043829.4 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN110887853B | 公開(公告)日: | 2022-04-22 |
| 發明(設計)人: | 鄭洪龍;庹先國;石睿;李懷良;李志剛;何艾靜;母襄樊;王葉藺;劉威 | 申請(專利權)人: | 四川理工學院;西南科技大學 |
| 主分類號: | G01N23/044 | 分類號: | G01N23/044 |
| 代理公司: | 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 李玉興 |
| 地址: | 643000 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 衰減 效率 加權 平均 sgs 斷層 刻度 方法 | ||
1.體素衰減效率加權平均的SGS斷層效率刻度方法,其特征在于,包括以下步驟:
1)建立探測器系統點源空間效率函數;
選取發射γ射線能量E范圍較寬的標準實驗點源,將點源置于系統探測區域空間,對該區域中多個等間距散點位置(x,y,z)的探測效率進行實驗測量;將獲得的在不同空間位置處、不同能量γ射線的探測效率,采用點源空間效率函數模型進行多元非線性回歸擬合,函數模型如下:
式中,ε(x,y,z,E,ai)為點源空間效率,(x,y,z)為點源在空間直角坐標系下的坐標位置,E為點源發射γ射線的能量,ai(i=1,2,…,9)為參數;
2)計算體素γ射線層間衰減長度;
將核廢物桶縱向等距劃分為N層,每一斷層被均勻劃分為K個體素;當探測器在第i層位置,第j個斷層中的第k個體素發射的γ射線進入探測器,在各斷層的衰減距離為Tkj;
第j個斷層中的第k個體素投影到第i個斷層上,投影點到探測器端面中心的長度為L1,第i個斷層中心到探測器端面中心的長度為L2,L1與L2的夾角為θ,L1被分為桶外部分L3和桶內部分L4(即L1=L3+L4),桶半徑為R,體素點到探測器端面中心的長度為L5,L5與L1的夾角為該體素點被桶內介質衰減的總長度為L6;體素點位置坐標為(x,y,z),當前層中心位置坐標為(0,y0,0),探測器端面中心坐標為(0,yH,0);
由第k個體素中心點發射的γ光子進入探測器過程中在桶內的總衰減長度L6計算如下:
L2=y0-yH
由三角關系式:得:
L4=L1-L3
根據所得夾角和介質總衰減長度L6,確定第k個體素發射的γ射線具體被衰減的斷層位置;設每個斷層高度為h,當ji時,從第k個體素所在的第j個斷層開始,衰減長度依次為:
直至γ射線穿出核廢物桶時,經過第j′斷層的衰減長度為:
當ji時,從第k個體素所在的第j個斷層開始,衰減長度依次為:
直至γ射線穿出核廢物桶時,經過第j′斷層的衰減長度為:
3)計算γ射線衰減系數;
通過外置透射源發射的多能量E的γ射線對核廢物桶每一斷層進行透射,獲取每一斷層介質的γ射線衰減系數,第j層樣品介質的線衰減系數:
式中,I0(E)為能量為E的入射γ射線強度,Ij(E)為穿透斷層后的γ射線強度,μj(E)為廢物桶第j層介質的γ射線衰減系數,d為核廢物桶直徑;根據計算所得不同能量E的線衰減系數μj(E),建立μj(E)與γ射線能量E的關系式:μj(E)=f(E);
4)衰減效率刻度;
采用步驟1)點源空間效率函數計算每個體素中心點無衰減效率εijk(E)=ε(x,y,z,E);通過對斷層中K個體素的衰減效率進行加權平均,實現斷層的衰減效率計算,探測器在i層位置對第j層樣品的探測效率:
式中,εijk(E)為探測器在i層位置對第j層樣品中的第k個體素中心的無衰減探測效率,μj(E)為第j層樣品的線衰減系數,Tkj為第k個體素中心點發射的γ光子進入探測器過程中在各個樣品層的衰減長度。
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