[發明專利]帶隙曲率校正有效
| 申請號: | 201811043480.4 | 申請日: | 2018-09-07 |
| 公開(公告)號: | CN109471485B | 公開(公告)日: | 2022-04-15 |
| 發明(設計)人: | L·佩特魯茲;A·坎達吉 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G05F1/567 | 分類號: | G05F1/567 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 鄭立柱;董典紅 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 曲率 校正 | ||
1.一種用于生成信號的設備,包括:
曲率校正電路,包括:
第一電流源,被配置為生成與絕對溫度成比例的PTAT電流;
第二電流源,被配置為生成對溫度恒定的電流;以及
三個或更多個可編程電流源,被配置為生成三個或更多個可編程電流,
其中所述曲率校正電路進一步被配置為:
基于所述PTAT電流和所述三個或更多個可編程電流來生成分段線性PWL電流;以及
基于所述PWL電流和所述對溫度恒定的電流來生成偏移PWL電流;以及
參考電壓電路,被配置為基于所述偏移PWL電流來生成參考電壓信號。
2.根據權利要求1所述的設備,
其中所述曲率校正電路進一步包括放大器電路,所述放大器電路被配置為基于所述偏移PWL電流來生成曲率校正CC電流,以及
其中所述參考電壓電路被配置為基于所述CC電流來生成所述參考電壓信號。
3.根據權利要求2所述的設備,
其中所述參考電壓信號是校正的參考電壓信號,以及
其中所述參考電壓電路被配置為通過從未校正的參考電壓信號至少減去所述CC電流來生成所述校正的參考電壓信號。
4.根據權利要求1所述的設備,其中所述三個或更多個可編程電流源中的每個可編程電流源的觸發溫度是可編程的。
5.根據權利要求4所述的設備,進一步包括控制電路,所述控制電路被配置為在所述三個或更多個可編程電流源中的每個相應的可編程電流源的相應的觸發溫度以下的溫度處關閉所述相應的可編程電流源。
6.根據權利要求1所述的設備,其中所述三個或更多個可編程電流源中的每個可編程電流源的電流-溫度的斜率是可編程的。
7.根據權利要求6所述的設備,
其中所述第一電流源包括電流鏡,
其中所述三個或更多個可編程電流源中的每個可編程電流源包括電流鏡,以及
其中所述三個或更多個可編程電流源的相應的可編程電流源的所述電流-溫度的斜率可以至少通過以下操作進行編程:
選擇在所述第一電流源的所述電流鏡中并聯連接的有源晶體管的數目;或者
選擇在所述相應的可編程電流源的所述電流鏡中并聯連接的有源晶體管的數目。
8.根據權利要求1所述的設備,其中所述三個或更多個可編程電流源中的有源的可編程電流源的數目是可編程的。
9.根據權利要求8所述的設備,進一步包括:控制電路,被配置為通過至少將所述三個或更多個可編程電流源中的每個可編程電流源與所述第一電流源連接或斷開連接,來選擇所述有源的可編程電流源的數目。
10.根據權利要求1所述的設備,
其中所述第一電流源包括電流鏡,所述電流鏡包括金屬氧化物半導體MOS晶體管,以及
其中所述三個或更多個可編程電流源中的每個可編程電流源包括電流鏡,所述電流鏡包括MOS晶體管。
11.根據權利要求1所述的設備,其中所述三個或更多個可編程電流源中的每個可編程電流源被配置為生成可編程的PTAT電流。
12.一種用于生成信號的方法,包括:
生成與絕對溫度成比例的PTAT電流;
生成對溫度恒定的電流;
生成三個或更多個可編程電流;
基于所述PTAT電流和所述三個或更多個可編程電流來生成分段線性PWL電流;
基于所述PWL電流和所述對溫度恒定的電流來生成偏移PWL電流;以及
基于所述偏移PWL電流來生成參考電壓信號。
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