[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811043342.6
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號(hào): CN110890365A
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/108
• 分類號(hào): H01L27/108
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

1.一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制備方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步驟：

S01，提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成多個(gè)間隔排布的有源區(qū)，所述有源區(qū)包括第一接觸區(qū)和位于所述第一接觸區(qū)兩側(cè)的第二接觸區(qū)；

S02，形成位線接觸窗，在所述半導(dǎo)體襯底上沿預(yù)定方向形成所述位線接觸窗；

S03，形成字線，在所述半導(dǎo)體襯底上沿垂直于所述預(yù)定方向的方向形成所述字線，所述字線將所述位線接觸窗切斷，兩條字線中間形成獨(dú)立的所述位線接觸窗；以及

S04，形成位線，在所述位線接觸窗上方形成所述位線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括以下步驟：

S05，形成隔離線介質(zhì)層，沿字線的延伸方向，在所述有源區(qū)之間形成隔離線介質(zhì)層；以及

S06，形成電容器接觸，在所述字線、位線及所述隔離線介質(zhì)層之間填充第二導(dǎo)電材料形成電容器接觸。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的制備方法，其特征在于，在步驟S01，利用淺槽隔離技術(shù)STI

在所述半導(dǎo)體襯底上形成隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)在所述半導(dǎo)體襯底上隔離出所述多個(gè)間隔排布的有源區(qū)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，步驟S02，形成位線接觸窗包括如下步驟：

S02-1，在所述半導(dǎo)體襯底上生長第一介質(zhì)層以保護(hù)所述有源區(qū)，所述第一介質(zhì)層包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅中的一種或它們的組合；

S02-2，在所述第一介質(zhì)層上依次生長第一硬掩模、涂覆光刻膠層，在所述光刻膠層形成位線接觸窗圖案；

S02-3，經(jīng)蝕刻在所述第一硬掩模上形成位線接觸窗圖案；

S02-4，去除光刻膠層，同時(shí)將所述位線接觸窗圖案轉(zhuǎn)移到第一介質(zhì)層和半導(dǎo)體襯底上，形成位線接觸窗溝槽；

S02-5，在所述位線接觸窗溝槽內(nèi)填充第一間隔絕緣層，同時(shí)在所述硬掩模上形成第一間隔絕緣層；

S02-6，回刻蝕所述第一間隔絕緣層，保留所述位線接觸窗溝槽側(cè)壁上的第一間隔絕緣層；以及

S02-7，在側(cè)壁上具有第一間隔絕緣層的位線接觸窗溝槽內(nèi)填充第一導(dǎo)電材料，并移除所述第一硬掩模，形成沿所述預(yù)定方向的所述位線接觸窗。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電材料包括鎢、鈦、鎳、鋁、氧化鈦、氮化鈦中的一種或它們的組合。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，步驟S03，形成字線包括如下步驟：

S03-1，在形成有所述位線接觸窗的半導(dǎo)體襯底上形成字線掩模，沿著垂直于所述預(yù)定方向的方向，在所述半導(dǎo)體襯底上制作字線溝槽，所述字線溝槽將所述位線接觸窗切斷，在兩條字線中間形成一獨(dú)立的位線接觸窗；

S03-2，在所述字線溝槽中依次填充柵氧化層、字線導(dǎo)體，再進(jìn)行回蝕刻，形成所需的字線；以及

S03-3，在所述字線上方自對準(zhǔn)地填充字線隔離層，對所述字線進(jìn)行保護(hù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，步驟S04，形成位線包括如下步驟：

S04-1，沿所述預(yù)定方向定義出位線圖案，通過帶有溝槽圖案的第二硬掩模蝕刻出位線溝槽；

S04-2，在所述位線溝槽內(nèi)沉積第二間隔絕緣層，回刻蝕所述第二間隔絕緣層，僅保留所述位線溝槽側(cè)壁位置的第二間隔絕緣層；以及

S04-3，在所述位線溝槽側(cè)壁位置的絕緣層中間沉積位線導(dǎo)體，回蝕刻得到所述的位線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，步驟S04還包括如下步驟：

S04-4，在所述位線上方自對準(zhǔn)地填充位線隔離層，然后去除硬掩模并且經(jīng)過化學(xué)機(jī)械掩模或回蝕刻所述位線隔離層至所述字線掩模位置。

9.根據(jù)權(quán)利要求1、2或7所述的制備方法，其特征在于，所述位線具有波浪形圖案。