[發明專利]扇出型半導體封裝件

在審

• 申請號: 201811042077.X
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109755234A
• 公開（公告）日: 2019-05-14
• 發明（設計）人: 李楨日;李政昊;金鎮洙;趙俸紸
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/498;H01L23/31
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉奕晴;金光軍

1.一種扇出型半導體封裝件，包括：

框架，包括：

多個絕緣層，

多個布線層，設置在所述多個絕緣層上，以及

多個連接過孔層，貫穿所述多個絕緣層并使所述多個布線層彼此電連接，并且

所述框架具有凹入部，所述凹入部具有設置在所述凹入部的底表面上的止擋層；

半導體芯片，具有：

連接焊盤，

有效表面，所述連接焊盤設置在所述有效表面上，以及

無效表面，與所述有效表面背對，并且

所述半導體芯片設置在所述凹入部中，使得所述無效表面面對所述止擋層；

第一金屬凸塊，設置在所述半導體芯片的所述連接焊盤上；

第二金屬凸塊，設置在所述多個布線層的最上布線層上；

包封劑，覆蓋所述框架、所述半導體芯片以及所述第一金屬凸塊和所述第二金屬凸塊中的每個的至少部分，并且填充所述凹入部的至少部分；以及

連接構件，設置在所述框架和所述半導體芯片的所述有效表面上并且包括重新分布層，所述重新分布層通過所述第一金屬凸塊和所述第二金屬凸塊電連接到所述連接焊盤和所述最上布線層。

2.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一金屬凸塊和所述第二金屬凸塊中的每個的上表面與所述包封劑的上表面共面。

3.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一金屬凸塊和所述第二金屬凸塊分別通過所述連接構件的第一連接過孔和第二連接過孔連接到所述重新分布層。

4.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一金屬凸塊和所述第二金屬凸塊為銅柱。

5.根據權利要求4所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述第一金屬凸塊和所述第二金屬凸塊中的每個具有矩形的截面形狀。

6.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述多個絕緣層包括芯絕緣層、設置在所述芯絕緣層的下表面上的一個或更多個第一積聚絕緣層以及設置在所述芯絕緣層的上表面上的一個或更多個第二積聚絕緣層，并且

所述芯絕緣層的厚度大于所述第一積聚絕緣層和所述第二積聚絕緣層中的每個的厚度。

7.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述一個或更多個第一積聚絕緣層的數量和所述一個或更多個第二積聚絕緣層的數量彼此相同。

8.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述凹入部貫穿至少所述芯絕緣層，并且貫穿所述一個或更多個第一積聚絕緣層和所述一個或更多個第二積聚絕緣層中的至少一者。

9.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述止擋層的被所述凹入部暴露的區域的厚度小于所述止擋層的未被暴露的邊緣區域的厚度。

10.根據權利要求6所述的扇出型半導體封裝件，其中，貫穿所述一個或更多個第一積聚絕緣層的第一連接過孔和貫穿所述一個或更多個第二積聚絕緣層的第二連接過孔沿著彼此相反的方向漸縮。

11.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述凹入部的壁是錐形的。

12.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述半導體芯片的所述無效表面通過粘合構件附著到所述止擋層。

13.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述止擋層為金屬層，

所述多個布線層中的至少一者包括接地圖案，并且

所述金屬層電連接到所述接地圖案。

14.根據權利要求1所述的扇出型半導體封裝件，其中，所述止擋層的平面面積大于所述半導體芯片的所述無效表面的平面面積。