[發明專利]液體噴出頭、液體噴出裝置、壓電設備以及超聲波傳感器

有效

• 申請號: 201811041580.3
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109484029B
• 公開（公告）日: 2020-10-09
• 發明（設計）人: 西脅學;加藤洋;淺川勉
• 申請（專利權）人: 精工愛普生株式會社
• 主分類號: B41J2/14
• 分類號: B41J2/14;B41J2/01;G01D5/48;H01L41/08
• 代理公司: 北京金信知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 蘇萌萌;權太白

1.一種液體噴出頭，具備：

壓力室，其收納液體；

振動板，其形成所述壓力室的壁面；

壓電元件，其隔著所述振動板而被設置于與所述壓力室相反的一側處，并且使所述振動板進行振動，

所述振動板包括以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅層、和以含有氧化硅的方式而被形成的硅熱氧化層，

所述氮氧化硅層被設置于所述壓電元件與所述硅熱氧化層之間。

2.如權利要求1所述的液體噴出頭，其中，

所述振動板包括被層壓在所述氮氧化硅層上的由氮化硅形成的氮化硅層。

3.如權利要求2所述的液體噴出頭，其中，

所述氮氧化硅層被層壓在由多晶硅形成的多晶硅層、與所述氮化硅層之間。

4.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的液體噴出頭，其中，

所述振動板包括位于所述壓電元件側的最表層的緊貼層，

所述緊貼層被形成于氮氧化硅層的表面上，所述氮氧化硅層以含有所述振動板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。

5.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的液體噴出頭，其中，

所述壓電元件被形成于氮氧化硅層的表面上，所述氮氧化硅層以含有所述振動板所含有的氮氧化硅的方式而被形成。

6.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的液體噴出頭，其中，

所述氮氧化硅層的線膨脹系數在1.0×10^-6/K以上且在2.0×10^-6/K以下。

7.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的液體噴出頭，其中，

所述氮氧化硅層的線膨脹系數在1.5×10^-6/K以上且在2.0×10^-6/K以下。

8.如權利要求1至權利要求3中任一項所述的液體噴出頭，其中，

所述氮氧化硅層所含有的氮的質量相對于氧與所述氮的總計質量的比例在20％以上且在90％以下。

9.一種液體噴出裝置，具備：

權利要求1至權利要求8中任一項的液體噴出頭。

10.一種壓電設備，具備：

振動板，其形成壓力室的壁面；

壓電元件，其隔著所述振動板而被設置于與所述壓力室相反的一側處，并且使所述振動板進行振動，

所述振動板具有以含有氮氧化硅的方式而形成的氮氧化硅層、和以含有氧化硅的方式而被形成的硅熱氧化層，

所述氮氧化硅層被設置于所述壓電元件與所述硅熱氧化層之間。

11.一種超聲波傳感器，具備：

權利要求10的壓電設備。