[發明專利]進行存取管理的方法、記憶裝置、電子裝置和其控制器

有效

• 申請號: 201811041557.4
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109634517B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發明（設計）人: 梁嘉旂;李介豪
• 申請（專利權）人: 慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

本發明公開了一種記憶裝置中存取管理的方法、相關的記憶裝置及其控制器以及相關的電子裝置。所述方法包括：從主裝置接收主裝置指令和邏輯地址；進行檢查操作以取得檢查結果，以判斷是否將邏輯?實體表從非揮發性存儲器加載到所述記憶裝置的隨機存取存儲器；從非揮發性存儲器讀取所述目標數據和相關的元數據，其中，當進行從非揮發性存儲器讀取所述目標數據時，所述邏輯?實體表的最新版本在所述隨機存取存儲器中是可得的；以及檢查元數據內的記錄邏輯地址和自主裝置接收的邏輯地址是否彼此相等，以控制是否將目標數據發送到主裝置。本發明能確保記憶裝置在各種情況下正常運作，且本發明的數據存取機制可實現效能優化、高安全性、預算控制等目標。

技術領域

本發明涉及存儲器控制，尤其涉及一種用以在記憶裝置中進行存取管理的方法、相關記憶裝置及其控制器以及相關電子裝置。

背景技術

近年來由于存儲器的技術不斷地發展，各種可攜式或非可攜式記憶裝置(例如分別符合安全數字(Secure Digital,SD)/多媒體記憶卡(Multimedia Card,MMC)、小型快速(compact flash,CF)、記憶棒(memory stick,MS)以及極度數字圖像(Extreme Digital-Picture Card,XD-card)規范的記憶卡或符合通用閃存存儲(Universal Flash Storage,UFS)與嵌入式多媒體記憶卡(embedded multimedia card,EMMC)的規格的嵌入式記憶裝置)被廣泛地實施于諸多應用中。因此，這些記憶裝置中的存儲器的存取控制遂成為相當熱門的議題。

以常用的與非門(NAND)型閃存而言，其可包括單階細胞(single level cell,SLC)和多階細胞(multiple level cell,MLC)閃存。在單階細胞閃存中，用作存儲單元的每個晶體管可以具有分別用以表示邏輯值0和1的兩個電荷值中的任何一個。而多階細胞閃存中用作存儲單元的每個晶體管的存儲能力則可被充分利用，其中晶體管可由比單階細胞閃存中的電壓高的電壓驅動，并且可以利用不同的電壓位準來記錄至少兩位(例如00,01,11或10)的信息。理論上，多階細胞閃存的記錄密度可達到單階細胞閃存的記錄密度的至少兩倍，因此是NAND型閃存的制造商所偏好的。

相較于單階細胞閃存，多階細胞閃存的較低成本和較大容量意味著它更可能被采用于記憶裝置中。然而，多階細胞閃存確實存在不穩定性的問題。為了確保記憶裝置中閃存的存取控制符合相關規范，閃存的控制器通常備有某些管理機制以妥善地管理數據的存取。

具備上述管理機制的記憶裝置仍然有不足之處。例如，所述多個記憶裝置的其中之一可包括用于緩沖、管理等的隨機存取存儲器(random access memory)，并且由于預算控制，所述隨機存取存儲器的存儲容量通常不足。現有技術中嘗試修正所述問題，但可能引入進一步的問題(例如副作用)。因此，需要具有強健的數據存取機制的新穎存儲器存取設計，以保證記憶裝置能分別在各種情況下正確操作。

發明內容

本發明的一目的是公開一種用于在一記憶裝置中進行存取管理的一方法、相關的記憶裝置及其控制器和相關的電子裝置，以解決上述問題。

本發明的另一個目的是公開一種用于在一記憶裝置中進行存取管理的一方法、相關的記憶裝置及其控制器和相關的電子裝置，以確保記憶裝置能分別在各種情況下正確操作。

本發明的又一個目的是公開一種用于在一記憶裝置中進行存取管理的一方法、相關的記憶裝置及其控制器和相關的電子裝置，以在不引入現有技術問題的情況下以沒有任何副作用或不太可能引入副作用的方式解決現有技術問題。