[發明專利]一種基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201811040832.0 | 申請日： | 2018-09-07 |
| 公開（公告）號： | CN108948372B | 公開（公告）日： | 2021-04-06 |
| 發明（設計）人： | 楊慶鳳;李建華;魏海文;賴小勇 | 申請（專利權）人： | 寧夏大學 |
| 主分類號： | C08G83/00 | 分類號： | C08G83/00;H01F1/42 |
| 代理公司： | 蘭州中科華西專利代理有限公司 62002 | 代理人： | 李艷華 |
| 地址： | 750021 寧夏回族*** | 國省代碼： | 寧夏;64 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 mn 羧酸 配位聚合 磁性材料 及其 制備 方法 | ||
本發明涉及一種基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料，該材料以Mn(H2pimdc)2(phen)·H2O為結構單元，通過質子化的2?丙基?5,6?咪唑二羧酸配體橋連成的一維鏈狀結構配位聚合物，其分子式為[Mn(H2pimdc)2(phen)·H2O]n，其中H2pimdc是質子化的2?丙基?5,6?咪唑二羧酸，phen為1,10?鄰菲羅啉。同時，本發明還公開了該磁性材料的制備方法。本發明水穩性良好。
技術領域
本發明涉及新材料技術領域，尤其涉及一種基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料及其制備方法。
背景技術
在過去的幾十年中，配位聚合物在化學和材料科學領域得到了迅速的發展。配位聚合物是由有機配體和金屬離子通過自組裝，完全或部分由配位鍵形成具有0-D、1-D、2-D或3-D的網絡結構。配位聚合物由于其新穎的骨架結構、拓撲結構和良好的性能，結合了無機材料和有機材料的優點，在光學、磁學、催化、氣體存儲等方面的潛在應用已成為人們研究的熱點。由于配體與金屬離子具有較高的親和力而更容易合成高維配位聚合物，與傳統的高維配位聚合物相比，低維配位聚合物的三維超分子結構已成為晶體工程領域的研究熱點。特別是低維配位聚合物作為分子基磁性材料，近年來具有很大的應用價值。例如，單分子磁體由于磁系統為在分子水平上理解磁交換相互作用提供了很好的模型而得到了廣泛的研究。分子磁體是利用順磁性金屬離子與有機橋聯配體以自組裝和控制組裝的方式合成的一類化合物。當達到其臨界溫度時，分子磁體會具有自發的磁化行為。
自首例Co(II)基單分子磁體報道以來，研究人員不斷地合成具有高能壘的Co(II)基SMMs。近年來，由于配位方式的多樣性，通過選擇具有特定幾何構型的金屬中心離子和有機配體進行自組裝反應可以實現低維配位聚合物的設計與合成已經成為當前的研究熱點之一，許多芳香族多羧酸和N/O供體橋聯配體被應用于配位聚合物的構建中。例如，基于鐵，鈷的低維配位聚合物磁性材料(Wei H. W,YangQ. F, Lai X. Y, Wang X. Z, Yang T. L,Hou Q, Liu X. Y, Field-Induced Slow Relaxation of the Magnetization in aDistorted Octahedral Mononuclear High-Spin Co(II) Complex.
目前，對由基于芳香族多羧酸配體的配位聚合物的報道不少，但是因為芳香族多羧酸分子中的N和O原子都可以充當供體，與金屬中心配位，大多數都是高維的配位聚合物，這不利于磁性材料的研究。
發明內容
本發明所要解決的技術問題是提供一種水穩性良好的基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料。
本發明所要解決的另一個技術問題是提供該基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料的制備方法。
為解決上述問題，本發明所述的一種基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料，其特征在于：該材料以Mn(H2pimdc)2(phen)·H2O為結構單元，通過質子化的2-丙基-5,6-咪唑二羧酸配體橋連成的一維鏈狀結構配位聚合物，其分子式為[Mn(H2pimdc)2(phen)·H2O]n，其中H2pimdc是質子化的2-丙基-5,6-咪唑二羧酸，phen為1,10-鄰菲羅啉。
如上所述的一種基于Mn的多羧酸配位聚合物磁性材料的制備方法，包括以下步驟：
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