[發明專利]一種焦深DOF大于或等于300nm的半導體ArF光刻膠樹脂及其應用

有效

• 申請號: 201811040575.0
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109369845B
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發明（設計）人: 鄧云祥;袁敏民
• 申請（專利權）人: 珠海雅天科技有限公司
• 主分類號: C08F220/28
• 分類號: C08F220/28;C08F220/18;C08F212/14;G03F7/039;G03F7/004
• 代理公司: 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205
• 代理人: 俞梁清

1.一種焦深DOF大于或等于300nm的半導體ArF光刻膠樹脂，其特征在于：由所述樹脂制得的ArF光刻膠的90nm線條/間距圖形的焦深DOF大于或等于300納米所述樹脂包括含有脂環烷烴的丙烯酸酯類化合物、含有脂環烷烴的甲基丙烯酸酯類化合物、含內酯結構的丙烯酸酯類化合物和/或含有內酯結構的甲基丙烯酸酯類化合物結構單元的樹脂；所述樹脂還包括含有苯乙烯和/或苯乙烯的衍生物結構單元的樹脂；其中，所述樹脂中含有苯乙烯和/或苯乙烯的衍生物結構單元單體的質量百分比為0.1~5%；

所述結構單元中至少包含以下通式1A、1B、1C、1D、1E、1F中的一種：

其中，通式1A、1B、1C、1D、1E和1F中，R₁~R₁₃表示各自獨立的取代基；

R₁ = H，CH₃；R₂=OCOOC(CH₃)₃，OC(CH₃)₃；

R₃ ～ R₁₃ = H，CH₃，-X-CH₃或-X-C_nH_n+1，所述X = O或者CH₂。

2.根據權利要求1所述的焦深DOF大于或等于300nm的半導體ArF光刻膠樹脂，其特征在于：所述樹脂中至少具有以下性質中的一種：

1）所述樹脂的多分散性PDI≤2.5；

2）所述樹脂的分子量為3000~100000；

3）所述樹脂的玻璃化溫度為80 ~ 200℃，或者在80 ~ 200℃間有多個玻璃轉化溫度；

4）所述樹脂在180~240納米的激光波長范圍內對光有弱吸收，允許透光率大于80%。

3.一種如權利要求1-2任一項所述的焦深DOF大于或等于300nm的半導體ArF光刻膠樹脂在90納米節點或65納米及以下節點的半導體光刻領域的應用。

4.一種焦深DOF大于或等于300nm的半導體ArF光刻膠樹脂的驗證方法，其特征在于：包括以下步驟：

S1、將如權利要求1-2任一項所述的焦深DOF大于或等于300nm的半導體ArF光刻膠樹脂溶于溶劑中，然后加入光致產酸劑、quencher以及添加劑制成光刻膠配方；

S2、將所述步驟S1的配方涂布于襯底上；

S3、烘烤除去襯底上的溶劑；

S4、將上述操作處理后的樹脂進行193nm曝光；

S5、對所述步驟S4曝光后的樹脂進行一次PEB烘烤；

S6、將顯影液噴灑到所述步驟S5處理后的樹脂上進行顯影。