[發明專利]一種霍山米斛的種植方法

在審

• 申請號: 201811040218.4
• 申請日: 2018-09-07
• 公開（公告）號: CN109006438A
• 公開（公告）日: 2018-12-18
• 發明（設計）人: 潘華章;胡船森;周心亮
• 申請（專利權）人: 潘華章
• 主分類號: A01G31/00
• 分類號: A01G31/00
• 代理公司: 合肥市科融知識產權代理事務所(普通合伙) 34126
• 代理人: 陳思聰

本發明公開了一種霍山米斛的種植方法，包括以下步驟：1）選苗；2）基質；3）基地處理；4）栽種；5）定植管理：做好病蟲害的定期檢查，平時注意清除基地中雜草和落葉，在米斛生長的旺盛期，用濃度40～50%的沼液或腐熟農家肥清液每5天對植株根部霧化噴灑1次，連續75～90天，期間干旱無雨每周對植株根部霧化噴水2～3次，上午11點以前進行；6）收獲。本發明收獲的米斛品質優良，既保證了米斛的品質，又大大提高了米斛的產量，保持米斛自然生長的特性和良好的遺傳穩定性，防止物種退化，種植后基本無需大量人工干預，大大減少了勞力和人工費用，種植技術易于掌握、投資少、成本低，有利于大面積推廣應用。

技術領域

本發明涉及生物技術領域，具體是一種霍山米斛的種植方法。

背景技術

霍山米斛學名霍山石斛，是蘭科石斛屬的草本植物，“形似釵斛細小，短只寸許”，與《中華人民共和國藥典》中記載的鐵皮石斛并非同一物種。霍山米斛生長緩慢，目前人工種植引進鐵皮石斛、銅皮石斛等高產石斛進行種源優化，不知情者常把產于霍山的各種石斛都理解為霍山石斛。霍山米斛原產于大別山區的安徽省霍山縣，屬地標產品，大多生長在云霧繚繞的山谷溪邊潮濕之地，多簇生。目前，野生霍山米斛已很難看到，市面上基本都是野生種源移植，霍山人工種植主要有米斛、鐵皮石斛、銅皮石斛。

隨著時代的進步和科學的發展，人類解決了種苗組織培養和大棚種植等技術問題，產量是提高了，而質量卻在下降。野外栽培的米斛產量低，受自然因素控制，收成受氣候影響大，大棚種植的石斛品質又得不到保證。因此，針對這一現狀，迫切需要開發一種霍山米斛的種植方法，以克服當前實際應用中的不足。

發明內容

本發明的目的在于提供一種霍山米斛的種植方法，以解決上述背景技術中提出的問題。

為實現上述目的，本發明提供如下技術方案：

一種霍山米斛的種植方法，包括以下步驟：

1）選苗：選擇根系發達、苗體健壯的幼苗，在密閉大棚中對幼苗進行組織營養培育，通過散光對棚內照射，選擇培育較好的大苗；

2）基質：對基質高溫處理以殺死有害微生物和病蟲卵，再對基質進行發酵處理，所述基質分為上下兩層，下層基質為碎石塊，上層基質由小石子、瓜子片和松樹皮組成；

3）基地處理：將已添加好基質的基地進行田間規劃，在基地的基質上均勻鋪灑細粉，所述細粉由蠶沙加工的粉末，在基質上刨出小坑；

4）栽種：將在大棚中培養的米斛苗或者野外采集的米斛大苗的根部植入小坑中，適量灑水，保持基地的濕度為70～80%；

5）定植管理：做好病蟲害的定期檢查，平時注意清除基地中雜草和落葉，在米斛生長的旺盛期，用濃度40～50%的沼液或腐熟農家肥清液每5天對植株根部霧化噴灑1次，連續75～90天，期間干旱無雨每周對植株根部霧化噴水2～3次，上午11點以前進行；

6）收獲：選擇栽種3～4年的生長狀況良好的米斛，采出其老莖，保留當年新莖和上年花莖，進行培育幼苗和留種。

作為本發明進一步的方案：在步驟1）中，密閉大棚中的照度為4000～4500Lux，溫度為22～25℃，濕度為75～85%。

作為本發明進一步的方案：在步驟1）中，密閉大棚中的遮陰度為70%，無直射光照。

作為本發明進一步的方案：在步驟2）中，碎石塊和小石子基質為火山石。

作為本發明進一步的方案：在步驟2）中，松樹皮基質，通過添加堿性溶液中和松樹皮中的酸，再使用高溫蒸煮30分鐘，取出讓其自然冷卻晾干，松樹皮基質含水量為60%。

作為本發明進一步的方案：在步驟3）中，每平方基地均勻鋪灑120克細粉。