[發明專利]一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器

在審

• 申請號: 201811039176.2
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN109194291A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發明（設計）人: 何旭;鄭遠;汪寧歡;陳新宇;楊磊
• 申請（專利權）人: 南京國博電子有限公司
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26
• 代理公司: 南京君陶專利商標代理有限公司 32215
• 代理人: 沈根水

1.一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器，其特征是包括一個低噪聲放大器、串聯開關、并聯開關、A控制電路、B控制電路，其中串聯開關輸入端串接在低噪聲放大器輸出端，輸出端與并聯開關輸出端并聯，并聯開關輸入端與低噪聲放大器輸入端并聯，A控制電路與低噪聲放大器、串聯開關串聯連接，B控制電路與低噪聲放大器、并聯開關串聯連接。

2.跟據權利要求1所述的一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器，其特征是所述A控制電路、B控制電路結構相同，包括電壓比較器、源極跟隨器和多個倒相器，電壓比較器、源極跟隨器和若干倒相器串聯連接，電壓比較器將輸入電壓與參考電壓進行比較，高于參考電壓則輸出高電位，低于參考電壓則輸出低電位，源極跟隨器用以緩沖，提高電壓比較器驅動能力，最后通過多個倒相器倒相，輸出不同的控制電壓對電路進行控制。

3.跟據權利要求1所述的一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器，其特征是所述低噪聲放大器采用改進型的電流復用結構，包括兩條射頻通路，一條包括Q1晶體管- L1電感- Q2晶體管，另一條包括Q1晶體管- C1電容- Q2晶體管；其中L1電感是一個小于2nH的電感，對低頻信號短路對高頻信號開路， C1電容是一個小于2pF的電容，對低頻信號短路對高頻信號開路，C2電容是一個大于3pF的電容，對2GHz以下的信號起阻抗匹配作用，對2GHz以上的信號，相當于一個短路元件；2GHz以下的信號由Q1晶體管-L1電感-Q2晶體管通過，2GHz以上的信號由Q1晶體管-C1電容-Q2晶體管通過，使放大器在工作帶寬內有較高的增益；C1電容補償Q2晶體管的柵源電容變化，提高低噪聲放大器的線性度。

4.跟據權利1所述的一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器，其特征是所述單片式低噪聲放大器于采用GaAs E/D pHEMT工藝，將低噪聲放大器、串聯開關、并聯開關、控制電路等單元全集成于單集成電路芯片實現，使在應用頻率范圍內實現信號的線性放大。

5.跟據權利1所述的一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器，其特征是所述串聯開關開啟時插入損耗小，關斷時提供隔離度；當低噪聲放大器工作時該串聯開關開啟，保證低噪聲放大器回路正常工作，將射頻輸入信號放大；當低噪聲放大器不工作時串聯開關關斷，提高低噪聲放大器回路的隔離度。

6.跟據權利1所述的一種高增益高線性帶旁路功能的單片式低噪聲放大器，其特征是所述并聯開關使用串并聯結構，Q1晶體管與Q2晶體管組成串聯支路，用以控制射頻信號的通斷，Q3晶體管組成并聯支路，用以提高射頻信號的輸入耐受功率；開關開啟時Q1晶體管與Q2晶體管導通、Q3晶體管截止，將低噪聲放大器輸入端的射頻信號直接旁路至器件的輸出端，同時提高開關開啟時的輸入耐受功率；開關關斷時Q1晶體管與Q2晶體管截止、Q3晶體管導通，提供隔離度，保證低噪聲放大器回路正常工作。