[發(fā)明專利]一種懸臂型端面耦合器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811039165.4 | 申請日： | 2018-09-06 |
| 公開（公告）號： | CN109031518B | 公開（公告）日： | 2020-01-03 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳昌華;柏艷飛;仇超;甘甫烷 | 申請（專利權）人： | 南通賽勒光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/10 | 分類號： | G02B6/10;G02B6/12 |
| 代理公司： | 31272 上海申新律師事務所 | 代理人： | 俞滌炯 |
| 地址： | 226000 江蘇省南通市蘇通*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 端面耦合 埋氧層 平板層 硅波導 硅襯底 脊型 懸臂 氮化硅 上表面 折射率匹配液 波導 單模光纖光 中間過渡層 波導形成 單模光纖 支撐結構 耦合效率 穩(wěn)固性 光場 刻蝕 模斑 預設 匹配 保證 | ||
1.一種懸臂型端面耦合器，其特征在于，包括：
一硅襯底，于所述硅襯底上刻蝕一具有第一預設高度的溝槽；
一埋氧層，形成于所述硅襯底的上表面；所述埋氧層包括：
一平板層，所述平板層形成于所述硅襯底的上表面；
一脊型層，所述脊型層形成于所述平板層的上表面，并水平延伸出所述平板層；
一硅波導，所述硅波導形成于所述埋氧層中，位于所述脊型層的上方；
一氮化硅波導，所述氮化硅波導形成于所述埋氧層中，位于所述硅波導的上方。
2.根據權利要求1所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述脊型層為水平脊型結構；所述脊型層包括：
一脊型部，所述脊型部形成于所述平板層的上表面，并水平延伸出所述平板層；
一水平部，所述水平部形成于所述脊型部的一端。
3.根據權利要求2所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述脊型部的中軸為楔形結構，所述脊型部的中軸具有一粗端與一細端；
所述脊型部的細端形成于所述水平部的中軸的一側。
4.根據權利要求2所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述脊型部的兩端為條形結構，所述脊型部的兩端分別形成于所述水平部的兩端。
5.根據權利要求2所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述硅波導形成于所述水平部的中軸上。
6.根據權利要求2所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述硅波導包括：
一楔形硅波導，位于所述氮化硅波導的正下方，所述楔形硅波導具有一粗端與一細端；
一條形硅波導，所述條形硅波導的一端形成于所述楔形硅波導的粗端。
7.根據權利要求2所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述氮化硅波導形成于所述脊型部與所述水平部的中軸上。
8.根據權利要求6所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述氮化硅波導為楔形結構；
所述氮化硅波導具有一粗端與一細端，所述氮化硅波導的粗端與所述楔形硅波導的粗端相齊平。
9.根據權利要求1所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述氮化硅波導與所述硅波導之間具有一第二預設高度。
10.根據權利要求1所述的懸臂型端面耦合器，其特征在于，所述埋氧層為二氧化硅。
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