[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件、半導(dǎo)體器件制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811037920.5
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號(hào): CN110880473A
• 公開（公告）日: 2020-03-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/762
• 分類號(hào): H01L21/762
• 代理公司: 北京律智知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 袁禮君;闞梓瑄

1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括：

半導(dǎo)體襯底；

至少一個(gè)溝槽，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)；

襯里層，覆蓋于所述溝槽的內(nèi)壁，并且為多孔結(jié)構(gòu)；

隔離材料，沉積于所述襯里層的上方，填充所述溝槽，并擴(kuò)散到所述襯里層的孔隙中。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯里層的厚度為所述溝槽寬度的2％～10％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯里層的孔隙率為10％～80％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述襯里層的材料包括介電材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述介電材料包括硅、一氧化硅、氮化硅、氮化硼、氮氧化硅、硅碳氮陶瓷、聚氮硅烷、氟硅玻璃、硼硅玻璃、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、二氧化鉿中的至少一種。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述隔離材料包括硅氧化物或氮氧化硅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件還包括：

墊氧化層，位于所述溝槽兩側(cè)的所述半導(dǎo)體襯底的上表面；

墊氮化層，位于所述墊氧化層的上表面；

所述襯里層覆蓋所述墊氮化層的上表面。

8.一種半導(dǎo)體器件制造方法，其特征在于，包括：

在半導(dǎo)體襯底上刻蝕出溝槽；

在所述溝槽的內(nèi)壁沉積多孔結(jié)構(gòu)的襯里層；

在所述襯里層的上方沉積隔離材料，以填充所述溝槽；

對所述隔離材料進(jìn)行熱處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述溝槽的內(nèi)壁沉積多孔結(jié)構(gòu)的襯里層包括：

通過化學(xué)氣相沉積在所述溝槽的內(nèi)壁沉積所述襯里層；

通過冷凍干燥或超臨界干燥對所述襯里層進(jìn)行處理，形成所述襯里層的多孔結(jié)構(gòu)；

其中，所述化學(xué)氣相沉積的前驅(qū)體包括正硅酸乙酯、硅烷、四甲基硅烷、籠型聚倍半硅氧烷中的至少一種，所述化學(xué)氣相沉積的溶劑包括去離子水、鹽酸、氨水、異丙醇、乙醇中的至少一種；所述冷凍干燥的條件為-150～-50℃、20～100Torr；所述超臨界干燥的條件為40～200℃、5～10Mpa。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述在所述襯里層的上方沉積隔離材料包括：

通過旋涂介電層或流體化學(xué)氣相沉積在所述襯里層的上方沉積隔離材料。