[發(fā)明專利]用于EUV光刻的掩模版

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201811037758.7
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN109491192B
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 曾文德;K·V·隆;V·菲利普森;E·奧爾塔米拉諾桑切茲;K·范德斯密森
• 申請（專利權(quán)）人: IMEC非營利協(xié)會;魯汶天主教大學(xué)
• 主分類號: G03F1/22
• 分類號: G03F1/22;G03F1/54
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 王穎;江磊

1.一種制造掩模版的方法，其包括：

提供一種組件，該組件包括：

極紫外鏡；

至少覆蓋極紫外鏡的底部的腔；

腔中存在的第一類的第一自組裝單層；和

存在于不形成腔的一部分的一個表面上的第二類的第二自組裝單層；和

通過在腔中選擇性地形成極紫外吸收結(jié)構(gòu)來使腔至少部分地被包含金屬材料的極紫外吸收結(jié)構(gòu)填充，所述金屬材料包含選自Ni、Co、Sb、Ag、In和Sn的元素，其中

所述第一自組裝單層構(gòu)造為促進(jìn)在腔中選擇性形成極紫外吸收結(jié)構(gòu)，和

所述第二自組裝單層構(gòu)造為防止在其上形成極紫外吸收結(jié)構(gòu)。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔是以下情況中的任一種：

所述腔包含在覆蓋極紫外鏡的電介質(zhì)掩模層中，所述腔具有從電介質(zhì)掩模層的頂表面延伸到電介質(zhì)掩模層的底表面的深度，或

所述腔包含在極紫外鏡中，所述腔具有從極紫外鏡的頂表面延伸到高于極紫外鏡底表面的平面的深度。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述極紫外吸收結(jié)構(gòu)包括與間隔層交替的金屬極紫外吸收材料的層。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在腔中選擇性地形成極紫外吸收結(jié)構(gòu)包括通過無電沉積形成極紫外吸收結(jié)構(gòu)。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述組件還包括在極紫外鏡上的覆蓋層，其中所述腔使覆蓋層的一部分暴露。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述覆蓋層為Ru層、Rh層或TiO₂/RuO₂多層。

7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述組件還包括在極紫外鏡上的覆蓋層和在覆蓋層上的蝕刻停止層，其中所述腔使蝕刻停止層的一部分暴露。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，極紫外吸收結(jié)構(gòu)嵌入極紫外鏡中，使得所述極紫外吸收結(jié)構(gòu)的底表面低于極紫外鏡的頂表面，并且極紫外吸收結(jié)構(gòu)的頂表面高于極紫外鏡的頂表面或與極紫外鏡的頂表面處于同一水平面。

9.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，晶種層覆蓋極紫外鏡，并且所述腔在所述晶種層上開口。

10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述腔通過以下方式形成：在極紫外鏡上方提供電介質(zhì)掩模層，然后對所述電介質(zhì)掩模層進(jìn)行圖案化以形成腔。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，還包括相對于以下對象選擇性地去除電介質(zhì)掩模層：

極紫外吸收結(jié)構(gòu)，和

極紫外鏡。

12.如權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述腔通過以下方式形成：在極紫外鏡上方提供電介質(zhì)掩模層，然后對所述電介質(zhì)掩模層進(jìn)行圖案化以形成腔；

所述方法還包括相對于以下對象選擇性地去除電介質(zhì)掩模層：

極紫外吸收結(jié)構(gòu)，和

覆蓋層。

13.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，極紫外吸收結(jié)構(gòu)的厚度是60nm或更低。

14.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，極紫外吸收結(jié)構(gòu)的厚度是50nm或更低。

15.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，極紫外吸收結(jié)構(gòu)的厚度是35nm或更低。

16.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述極紫外吸收結(jié)構(gòu)包括由Ni、Co、Ag、CoWP或NiPt或摻雜有最多20原子％B的Ni構(gòu)成的層。