[發明專利]同位素比質譜分析有效
申請號: | 201811036281.0 | 申請日: | 2018-09-06 |
公開(公告)號: | CN109470764B | 公開(公告)日: | 2022-02-18 |
發明(設計)人: | J·艾勒;J·格雷普-蘭明 | 申請(專利權)人: | 塞莫費雪科學(不來梅)有限公司;加利福尼亞技術學院 |
主分類號: | G01N30/02 | 分類號: | G01N30/02;G01N30/72 |
代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 陳潔;姬利永 |
地址: | 德國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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摘要: | |||
搜索關鍵詞: | 同位素 譜分析 | ||
1.一種同位素比質譜分析的方法,其包含:
將分析用樣品注入到氣相色譜柱中;
將來自所述氣相色譜柱的流出物引導到切換布置;以及
選擇所述切換布置的配置,使得:在第一模式中,將來自所述氣相色譜柱的所述流出物作為輸入提供到峰展寬器;以及在第二模式中,將來自所述峰展寬器的流出物提供到用于同位素比質譜分析的質譜儀,而沒有將來自所述氣相色譜柱的所述流出物作為輸入提供到所述峰展寬器。
2.根據權利要求1所述的方法,其中所述選擇所述切換布置的所述配置的步驟包含當來自所述氣相色譜柱的所述流出物包含所關注化合物時選擇所述第一模式和/或當來自所述氣相色譜柱的所述流出物不包含所關注化合物時選擇所述第二模式。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述選擇所述切換布置的所述配置的步驟包含,在所述第二模式中,將來自所述氣相色譜柱的所述流出物提供到用于棄置的廢料管和/或將緩沖氣體作為輸入提供到所述峰展寬器。
4.根據權利要求1所述的方法,其中所述選擇所述切換布置的所述配置的步驟包含,在第三模式中,將來自所述氣相色譜柱的所述流出物提供到用于同位素比質譜分析的所述質譜儀,而沒有穿過所述峰展寬器。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述選擇所述切換布置的所述配置的步驟包含當來自所述氣相色譜柱的所述流出物包含所關注化合物時選擇所述第三模式。
6.根據權利要求4所述的方法,其中在初始分析步驟中選擇所述第三模式以確定滯留時間和峰寬,隨后的分析步驟中的所述第一模式的選擇基于所確定的滯留時間和峰寬。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的方法,其中所述選擇所述切換布置的所述配置的步驟包含,在第四模式中,經由所述峰展寬器將來自所述氣相色譜柱的所述流出物提供到用于同位素比質譜分析的所述質譜儀。
8.根據權利要求1至6中任一項所述的方法,其中所述質譜儀包含軌道俘獲型質量分析儀。
9.根據權利要求1至6中任一項所述的方法,其中所述峰展寬器包含氣體流過的儲集器容積。
10.根據權利要求9所述的方法,其進一步包含:
穩定來自所述峰展寬器的所述流出物的分壓。
11.根據權利要求10所述的方法,其中所述穩定分壓的步驟包含以下之一:
調節所述峰展寬器的容積;
通過用液體填充所述儲集器容積的部分和/或增加進入所述儲集器容積的氣流來補償分壓損耗;以及
提高所述儲集器容積的溫度以使氣體在所述峰展寬器中膨脹和/或增加所述峰展寬器內的總壓力。
12.根據權利要求10所述的方法,其中所述峰展寬器具有具備去激活涂層的內表面和/或其中所述峰展寬器的所述儲集器容積具有至少由涂覆有玻璃樣微涂層的金屬表面限定的部分。
13.根據權利要求1至6中任一項所述的方法,其中所述峰展寬器包含:氣體阱,其經配置以接收進入所述峰展寬器的所述輸入;以及可控解吸附階段,其經配置以解吸附從所述氣體阱接收的流出物,所述方法進一步包含:
設置用于所述可控解吸附階段的解吸附速率以實現來自所述峰展寬器的流出物的恒定分壓。
14.根據權利要求13所述的方法,其中所述設置解吸附速率的步驟包含以下之一:
控制用于所述可控解吸附階段的溫度,所述可控解吸附階段包含熱解吸附布置;以及
控制用于所述可控解吸附階段的氣流,所述可控解吸附階段包含定向氣流解吸附布置。
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