[發明專利]自我追蹤雙穩態鎖存單元及其操作方法

在審

• 申請號: 201811036269.X
• 申請日: 2018-09-06
• 公開（公告）號: CN109768796A
• 公開（公告）日: 2019-05-17
• 發明（設計）人: 馬騰桂;史富洋
• 申請（專利權）人: 漢芝電子股份有限公司
• 主分類號: H03K19/0944
• 分類號: H03K19/0944
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于，包括：

交叉耦合鎖存器，具有第一數據端，第二數據端，用以接收鎖存控制信號的第一電壓輸入端，及用以接收參考電壓的第二電壓輸入端；

第一可寫入晶體管，具有用以在執行讀取操作時輸出第一位的第一端，耦接于交叉耦合鎖存器的第一數據端的第二端，及用以接收追蹤控制信號控制端，其中所述第一可寫入晶體管的柵極氧化層較所述交叉耦合鎖存器中的晶體管的柵極氧化層薄；及

第二可寫入晶體管，具有用以在執行所述讀取操作時輸出第二位的第一端，耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二數據端的第二端，及用以接收所述追蹤控制信號的控制端，其中所述第二可寫入晶體管的柵極氧化層較所述交叉耦合鎖存器中的所述晶體管的所述柵極氧化層薄。

2.如權利要求1所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于在執行追蹤操作時：

所述交叉耦合鎖存器進入穩態，并根據所述交叉耦合鎖存器的原生趨勢經由所述第一數據端及所述第二數據端輸出互補位對；及

根據所述互補位對擊穿所述第一可寫入晶體管及所述第二可寫入晶體管的其中一者。

3.如權利要求2所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于在執行所述追蹤操作時：

所述追蹤控制信號是在第一電壓；

所述鎖存控制信號是在高于所述第一電壓的第二電壓；及

所述第二電壓與所述第一電壓之間的電壓差大到足以擊穿所述第一可寫入晶體管及所述第二可寫入晶體管。

4.如權利要求3所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于在執行所述讀取操作時：

所述鎖存控制信號及所述追蹤控制信號是在所述參考電壓或是在浮接狀態；

所述追蹤控制信號變為第三電壓；及

在所述追蹤控制信號變為所述第三電壓后，所述鎖存控制信號變為第四電壓；

其中所述第三電壓及所述第四電壓都高于所述參考電壓。

5.如權利要求4所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于在所述第二電壓高于所述第三電壓及所述第四電壓。

6.如權利要求3所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于在執行自毀操作時：

所述鎖存控制信號及所述追蹤控制信號是在所述參考電壓或是在浮接狀態；

所述追蹤控制信號變為第三電壓；及

在所述追蹤控制信號變為所述第三電壓之后，所述鎖存控制信號及所述追蹤控制信號皆變為所述第二電壓。

7.如權利要求1所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于所述第一可寫入晶體管及所述第二可寫入晶體管是為反熔絲晶體管。

8.如權利要求1所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于所述交叉耦合鎖存器包括：

第一P型晶體管，具有耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第一電壓輸入端的第一端，耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第一數據端的第二端，及耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二數據端的控制端；

第二P型晶體管，具有耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第一電壓輸入端的第一端，耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二數據端的第二端，及耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第一數據端的控制端；

第一N型晶體管，具有耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第一數據端的第一端，耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二電壓輸入端的第二端，及耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二數據端的控制端；及

第二N型晶體管，具有耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二數據端的第一端，耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第二電壓輸入端的第二端，及耦接于所述交叉耦合鎖存器的所述第一數據端的控制端。

9.如權利要求1所述的自我追蹤雙穩態鎖存單元，其特征在于所述自我追蹤雙穩態鎖存單元是設置于存儲器結構中。