[發(fā)明專利]一種具有V型槽的光伏電池及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201811033465.1
• 申請(qǐng)日: 2018-09-05
• 公開（公告）號(hào): CN109192797A
• 公開（公告）日: 2019-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 管先炳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 蘇州錢正科技咨詢有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0236
• 分類號(hào): H01L31/0236;H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 蘇州謹(jǐn)和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 32295
• 代理人: 仲崇明

1.一種具有V型槽的光伏電池的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)提供一N型單晶硅片，對(duì)所述單晶硅片進(jìn)行雙面制絨處理，在所述單晶硅片的上表面和下表面均形成絨面層；

2)接著在所述N單晶硅片的上表面形成多個(gè)平行排列的第一V形槽，在所述單晶硅片的下表面形成多個(gè)平行排列的第二V形槽，所述第一V形槽的深度與所述N型單晶硅片的厚度的比值為0.65-0.75，所述第二條形溝槽的深度與所述N型單晶硅片的厚度的比值為0.65-0.75，多個(gè)所述第一V形槽和多個(gè)所述第二V形槽分別一一對(duì)應(yīng)，所述第一V形槽的一個(gè)側(cè)面與對(duì)應(yīng)的所述第二V形槽的一個(gè)側(cè)面平行，所述第一V形槽與對(duì)應(yīng)的所述第二V形槽之間單晶硅層的厚度為40-60微米；

3)在所述N型單晶硅片的上表面和下表面各沉積一氧化鋁薄層；

4)接著在所述N型單晶硅片的上表面依次沉積第一本征非晶硅層和P型非晶硅層，；

5)接著在所述N型單晶硅片的下表面依次沉積第二本征非晶硅層和N型非晶硅層；

6)接著在所述N型單晶硅片的上表面沉積第一透明導(dǎo)電層；

7)接著在所述N型單晶硅片的下表面沉積第二透明導(dǎo)電層；

8)接著在所述N型單晶硅片的上表面形成正面電極；

9)接著在所述N型單晶硅片的下表面形成背面電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有V型槽的光伏電池的的制備方法，其特征在于：在所述步驟(2)中，所述第一V形槽以及所述第二V形槽的寬度均為1-2毫米，相鄰所述第一V形槽的間距1-2毫米，相鄰所述第二V形槽的間距為1-2毫米。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有V型槽的光伏電池的的制備方法，其特征在于：在所述步驟(3)中，所述氧化鋁薄層的厚度為0.5-1.5納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有V型槽的光伏電池的的制備方法，其特征在于：在所述步驟(4)中，所述第一本征非晶硅層的厚度為3-6納米，所述P型非晶硅層的厚度為5-8納米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有V型槽的光伏電池的的制備方法，其特征在于：在所述步驟(5)中，所述第二本征非晶硅層的厚度為7-10納米，所述N型非晶硅層的厚度為7-10納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有V型槽的光伏電池的的制備方法，其特征在于：在所述步驟(6)和(7)中，述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層均包括層疊的ITO層、金屬薄層、AZO層、石墨烯層以及ITO層，所述第一透明導(dǎo)電層和所述第二透明導(dǎo)電層的厚度為400-500納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有V型槽的光伏電池的的制備方法，其特征在于：在所述步驟(8)中，所述正面電極位于所述第一V形槽中；在所述步驟(9)中，所述背面電極位于所述第二V形槽中。

8.一種具有V型槽的光伏電池，其特征在于，采用權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的方法制備形成的。