[發(fā)明專利]一種提高鈦酸鋇介質(zhì)材料在還原氣氛下抗還原性的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811033322.0 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109305813A | 公開(公告)日: | 2019-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李玲霞;王瑞杰;畢越;于仕輝;王文波 | 申請(專利權(quán))人: | 天津大學 |
| 主分類號: | C04B35/468 | 分類號: | C04B35/468;C04B35/622;C04B35/626;H01G4/12 |
| 代理公司: | 天津市北洋有限責任專利代理事務(wù)所 12201 | 代理人: | 張宏祥 |
| 地址: | 300072*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 還原氣氛 介質(zhì)材料 抗還原性 生坯 絕緣電阻率 比例稱量 介電常數(shù) 介電損耗 燒結(jié) 還原性 質(zhì)量比 主晶相 鈦酸鋇 烘干 高抗 過篩 球磨 造粒 煅燒 壓制 合成 | ||
本發(fā)明公開了一種提高BaTiO3介質(zhì)材料在還原氣氛下抗還原性的方法,先將原料BaTiO3和NH4VO3按照質(zhì)量比為1:0.01~0.03的比例稱量配料,經(jīng)球磨、烘干、過篩后于1000~1100℃下煅燒,合成主晶相,再進行造粒,壓制成生坯,生坯于1350℃燒結(jié),制得在還原氣氛下具有更高抗還原性的BaTiO3介質(zhì)材料。本發(fā)明介電常數(shù)在1400~3057之間,最佳介電損耗為5.0%,絕緣電阻率在108~109之間。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于一種以成分為特征的陶瓷組合物,特別涉及一種提高鈦酸鋇介質(zhì)材料在還原氣氛下抗還原特性的方法
背景技術(shù)
傳統(tǒng)的MLCC(多層片式陶瓷電容器)一般選用貴金屬Pt、Pd或Pd-Ag合金作為MLCC內(nèi)電極,以滿足介質(zhì)材料的高燒結(jié)溫度的要求。然而隨著MLCC大容量的需求,其層數(shù)需要不斷增加,進而導(dǎo)致了由于內(nèi)電極材料的成本逐漸而造成的MLCC成本居高不下。為了實現(xiàn)制作工藝的低成本化,采用Cu、Ni等賤金屬作為電極材料。而這將導(dǎo)致MLCC的制作工藝需要在還原氣氛下進行。當選用Ni電極作為金屬電極時,就要求介質(zhì)材料和電極同時在還原氣氛中共燒,進而要求介質(zhì)材料的抗還原性。在傳統(tǒng)的MLCC工藝中,鈦酸鋇由于其優(yōu)良的介電性能而成為主要的基體材料。但純相鈦酸鋇在還原氣氛下燒結(jié)后,由于燒結(jié)氣氛低氧壓導(dǎo)致氧空位和電子產(chǎn)生,進而使得燒結(jié)后的介質(zhì)材料出現(xiàn)半導(dǎo)化的現(xiàn)象,不滿足介質(zhì)材料高絕緣的要求。鈦酸鋇在還原氣氛下燒結(jié)的性能:介電性能ε=1.3×105;介電損耗tanθ=12.13%,絕緣電阻率ρv=1.82×108Ω·cm。為了提高鈦酸鋇在還原氣氛下燒結(jié)的絕緣性,降低缺陷含量是有效的途徑。本發(fā)明由于NH4VO3(偏釩酸銨)中的V離子容易從五價還原成為三價,當制品在還原氣氛下燒結(jié)時,V5+被還原成為V3+,這個過程中降低了鈦酸鋇中的自由電子濃度,進而提高鈦酸鋇的絕緣特性。因此本方法中采用NH4VO3作為添加劑,以提高BaTiO3的抗還原性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的,是為了降低傳統(tǒng)的MLCC內(nèi)電極材料的工藝成本,提供一種提高BaTiO3在還原氣氛下抗還原性能的方法。
本發(fā)明通過如下技術(shù)方案予以實現(xiàn)。
一種提高BaTiO3介質(zhì)材料在還原氣氛下抗還原性的方法,具有如下步驟:
(1)將原料BaTiO3和NH4VO3按照質(zhì)量比為1:0.01~0.03的比例分別稱量配料;
(2)將步驟(1)配制的粉料放入球磨罐中,加入氧化鋯球和去離子水,球磨4小時;將球磨后的原料置于紅外干燥箱中烘干,烘干后過40目篩,獲得顆粒均勻的粉料;
(3)將步驟(2)處理后的粉料于1000~1100℃下煅燒3小時,合成主晶相;
(4)在步驟(3)合成主晶相的粉料加入質(zhì)量百分比為7%的粘結(jié)劑,過80目分樣篩,造粒;
(5)將步驟(4)的造粒粉料壓制成生坯,經(jīng)排膠后,在還原氣氛下,于1350℃燒結(jié),保溫2~4小時,制得在還原氣氛下具有更高抗還原性的BaTiO3介質(zhì)材料。
所述步驟(2)的烘干溫度為110℃。
所述步驟(2)的陶瓷粉體與氧化鋯球、去離子水的質(zhì)量比為1∶1∶2。
所述步驟(5)的坯體為Φ10mm×1mm的圓片。
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